缺陷晶体英文解释翻译、缺陷晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 imperfect crystal

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

在材料科学领域，"缺陷晶体"（defective crystal）指晶体结构中存在原子排列偏离理想周期性点阵的区域或特征。这种偏离可表现为原子缺失、错位、杂质原子嵌入或结构畸变等。其核心概念与类型如下：

中文术语：缺陷晶体
英文术语：Defective Crystal / Crystal Defect
定义：理想晶体具有严格的空间点阵周期性，而缺陷晶体因内部存在点缺陷（point defects）、线缺陷（line defects）、面缺陷（planar defects）或体缺陷（volume defects），导致其物理性质（如导电性、机械强度）发生显著变化。

点缺陷（Point Defects）
- 空位（Vacancy）：晶格节点原子缺失，如金属加热时形成的原子空位。
- 间隙原子（Interstitial Atom）：原子挤入晶格间隙，如碳原子嵌入铁晶格形成钢。
- 杂质原子（Impurity Atom）：外来原子取代晶格原子（置换型）或占据间隙（间隙型），如半导体中掺杂磷（P）或硼（B）。
线缺陷（位错, Dislocation）
- 刃型位错（Edge Dislocation）：原子平面半途终止，形成额外半原子面。
- 螺型位错（Screw Dislocation）：原子面沿螺旋轴错开，影响晶体塑性变形能力。
面缺陷（Planar Defects）
- 晶界（Grain Boundary）：多晶材料中不同晶粒间的界面。
- 堆垛层错（Stacking Fault）：密排结构中原子层堆叠顺序错误，常见于硅（Si）晶体。

缺陷晶体是材料功能化的关键：

Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. Materials Science and Engineering: An Introduction（材料科学与工程基础）. John Wiley & Sons, 2018. （定义与分类标准）
Shackelford, J. F. Introduction to Materials Science for Engineers（工程师材料科学导论）. Pearson, 2015. （半导体缺陷案例）
Hull, D., & Bacon, D. J. Introduction to Dislocations（位错导论）. Butterworth-Heinemann, 2011. （位错理论专著）
中国国家标准 GB/T 19629-2005 《微电子技术术语》（中文术语规范）

注：缺陷晶体的研究是凝聚态物理与材料工程交叉的核心领域，其可控设计直接推动电子器件与结构材料的革新。

晶体缺陷是指晶体内部偏离理想原子排列结构的区域，其存在对材料的物理、化学及机械性能有重要影响。以下是详细解释：

晶体缺陷是材料科学的核心课题。通过控制缺陷类型和密度，可优化材料性能，例如：

如需进一步了解具体缺陷的数学模型或实验方法，可参考材料科学专业文献。