屏蔽距英文解釋翻譯、屏蔽距的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【計】 mask pitch
分詞翻譯：
屏蔽的英語翻譯：
screen; shield
【計】 mask; mask off; masking
【化】 shielding
距的英語翻譯：
be apart from; distance
【醫】 calcar; calcaria
專業解析
在電磁兼容（EMC）和電子工程領域，“屏蔽距”（Shielding Distance）指電磁波在屏蔽材料中傳播時，其場強衰減到特定值（通常為初始值的1/e，約36.8%）所經過的距離。它反映了材料對電磁幹擾（EMI）的衰減能力，是評估屏蔽效能的關鍵參數，計算公式為：
$$
delta = sqrt{frac{2}{omega mu sigma}}
$$
其中：
- $delta$ 為屏蔽距（趨膚深度），
- $omega$ 為角頻率（$omega = 2pi f$，$f$為頻率），
- $mu$ 為材料的磁導率，
- $sigma$ 為材料的電導率。
核心意義與應用：
- 衰減能力表征：屏蔽距越小，表明材料在更短距離内能顯著衰減電磁波，屏蔽效能越高。例如，銅在高頻下的屏蔽距極小，適合用于精密設備的電磁屏蔽。
- 材料選擇依據：工程師需根據幹擾頻率選擇材料。高頻幹擾（如GHz級）要求極小屏蔽距，常選用高導電率材料（銀、銅）；低頻場景可選用成本更低的材料（如鋼）。
- 屏蔽結構設計：實際屏蔽體（如機箱、線纜屏蔽層）的厚度需大于屏蔽距才能有效阻隔電磁波。例如，1MHz電磁波在銅中的屏蔽距約0.066mm，設計時通常要求厚度≥3倍屏蔽距以達99%衰減。
影響因素：
- 頻率：頻率升高，屏蔽距減小（與$sqrt{f}$成反比）。
- 材料屬性：高電導率（$sigma$）和高磁導率（$mu$）材料可減小屏蔽距。鐵磁性材料因$mu$值高，低頻屏蔽效能優于銅。
權威參考來源：
- IEEE Std 299.1（IEEE電磁屏蔽效能測量标準），定義屏蔽效能與材料參數關系。
- Electromagnetic Compatibility Engineering（Henry Ott），詳解屏蔽距在EMC設計中的計算與應用。
- EMC Design Guide for PCB and Systems（Keith Armstrong），提供屏蔽距與厚度的工程實踐關聯。
網絡擴展解釋
“屏蔽距”是一個技術領域術語，其含義和用法如下：
基本解釋
- 詞義：指通過屏蔽手段（如物理阻隔或技術隔離）所保持的特定距離或間距。在計算機或電子工程中，可能涉及掩模設計、電磁屏蔽等場景。
- 英文翻譯： 中提及對應術語為mask pitch，常見于集成電路制造或屏蔽結構設計中的間距參數。
技術背景
-
掩模設計（集成電路領域）：
“屏蔽距”可能指掩模版（mask）上圖案之間的間距（pitch），用于确保電路元件間的物理隔離，防止信號幹擾。
-
電磁屏蔽：
在電磁兼容性（EMC）設計中，屏蔽距可能表示屏蔽材料或結構（如屏蔽牆、屏蔽器）的有效隔離距離，以阻斷電磁波傳播。
應用場景
- 芯片制造：控制掩模版圖案間距，避免電路短路或信號串擾。
- 電子設備：設計屏蔽罩時，需計算元件與屏蔽層的最小距離（屏蔽距）以優化性能。
補充說明
若需更具體的工程參數（如公式或行業标準），建議結合具體領域（如半導體、通信）進一步查詢專業資料。
分類
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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