屏蔽距英文解释翻译、屏蔽距的近义词、反义词、例句
英语翻译:
【计】 mask pitch
分词翻译:
屏蔽的英语翻译:
screen; shield
【计】 mask; mask off; masking
【化】 shielding
距的英语翻译:
be apart from; distance
【医】 calcar; calcaria
专业解析
在电磁兼容(EMC)和电子工程领域,“屏蔽距”(Shielding Distance)指电磁波在屏蔽材料中传播时,其场强衰减到特定值(通常为初始值的1/e,约36.8%)所经过的距离。它反映了材料对电磁干扰(EMI)的衰减能力,是评估屏蔽效能的关键参数,计算公式为:
$$
delta = sqrt{frac{2}{omega mu sigma}}
$$
其中:
- $delta$ 为屏蔽距(趋肤深度),
- $omega$ 为角频率($omega = 2pi f$,$f$为频率),
- $mu$ 为材料的磁导率,
- $sigma$ 为材料的电导率。
核心意义与应用:
- 衰减能力表征:屏蔽距越小,表明材料在更短距离内能显著衰减电磁波,屏蔽效能越高。例如,铜在高频下的屏蔽距极小,适合用于精密设备的电磁屏蔽。
- 材料选择依据:工程师需根据干扰频率选择材料。高频干扰(如GHz级)要求极小屏蔽距,常选用高导电率材料(银、铜);低频场景可选用成本更低的材料(如钢)。
- 屏蔽结构设计:实际屏蔽体(如机箱、线缆屏蔽层)的厚度需大于屏蔽距才能有效阻隔电磁波。例如,1MHz电磁波在铜中的屏蔽距约0.066mm,设计时通常要求厚度≥3倍屏蔽距以达99%衰减。
影响因素:
- 频率:频率升高,屏蔽距减小(与$sqrt{f}$成反比)。
- 材料属性:高电导率($sigma$)和高磁导率($mu$)材料可减小屏蔽距。铁磁性材料因$mu$值高,低频屏蔽效能优于铜。
权威参考来源:
- IEEE Std 299.1(IEEE电磁屏蔽效能测量标准),定义屏蔽效能与材料参数关系。
- Electromagnetic Compatibility Engineering(Henry Ott),详解屏蔽距在EMC设计中的计算与应用。
- EMC Design Guide for PCB and Systems(Keith Armstrong),提供屏蔽距与厚度的工程实践关联。
网络扩展解释
“屏蔽距”是一个技术领域术语,其含义和用法如下:
基本解释
- 词义:指通过屏蔽手段(如物理阻隔或技术隔离)所保持的特定距离或间距。在计算机或电子工程中,可能涉及掩模设计、电磁屏蔽等场景。
- 英文翻译: 中提及对应术语为mask pitch,常见于集成电路制造或屏蔽结构设计中的间距参数。
技术背景
-
掩模设计(集成电路领域):
“屏蔽距”可能指掩模版(mask)上图案之间的间距(pitch),用于确保电路元件间的物理隔离,防止信号干扰。
-
电磁屏蔽:
在电磁兼容性(EMC)设计中,屏蔽距可能表示屏蔽材料或结构(如屏蔽墙、屏蔽器)的有效隔离距离,以阻断电磁波传播。
应用场景
- 芯片制造:控制掩模版图案间距,避免电路短路或信号串扰。
- 电子设备:设计屏蔽罩时,需计算元件与屏蔽层的最小距离(屏蔽距)以优化性能。
补充说明
若需更具体的工程参数(如公式或行业标准),建议结合具体领域(如半导体、通信)进一步查询专业资料。
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