漂移遷移率英文解釋翻譯、漂移遷移率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 drift mobility

分詞翻譯：

移的英語翻譯：

change; move; shift
【醫】 trans-

遷移率的英語翻譯：

【化】 mobility; mobility ratio

專業解析

在半導體物理學中，"漂移遷移率"（Drift Mobility）是描述載流子（電子或空穴）在外加電場作用下運動能力的核心參數。其定義為載流子的平均漂移速度(v_d)與施加電場強度(E)的比值，數學表達式為： $$ mu = frac{v_d}{E} $$ 該參數直接反映材料導電性能，遷移率越高表明載流子在電場中移動效率越強。

漂移遷移率受以下主要因素影響：

晶格散射：半導體材料晶格振動會阻礙載流子運動，溫度升高時該效應加劇導緻遷移率下降
雜質散射：摻雜離子産生的庫侖力場會改變載流子軌迹，高濃度摻雜會顯著降低遷移率
材料結構：砷化镓(GaAs)的電子遷移率（約8500 cm²/(V·s)）遠超矽（約1500 cm²/(V·s)），這種差異源于能帶結構的不同

在器件工程領域，遷移率參數對MOSFET跨導、太陽能電池載流子收集效率等關鍵指标具有決定性作用。國際半導體技術路線圖(ITRS)特别指出，遷移率優化是納米級器件性能提升的核心挑戰之一。

權威參考文獻：《半導體物理與器件》第4版，Neamen著，McGraw-Hill出版施敏《半導體器件物理》第三章載流子輸運理論 IEEE Electron Device Letters關于高遷移率溝道材料的研究論文

網絡擴展解釋

漂移遷移率是半導體物理學中的重要概念，主要用于描述載流子在電場作用下的遷移能力。以下是詳細解釋：

1.基本定義

漂移遷移率（Drift Mobility）指非平衡載流子（如電子或空穴）在電場作用下産生的平均漂移速度與電場強度絕對值的比值。其物理意義在于衡量載流子在外加電場中的運動效率，直接決定半導體的導電性能。

2.物理意義

載流子遷移效率：遷移率越高，載流子受電場驅動的速度越快，半導體的導電性越強。
影響因素：與材料中的散射機制（如晶格振動、雜質散射）相關，散射概率越高，遷移率越低。

3.計算公式

根據實驗測量方法，漂移遷移率的公式為： $$ mu = frac{x}{|E| cdot t} $$ 其中：

( mu ) 為漂移遷移率（單位：cm²/(V·s)）；
( x ) 為載流子漂移距離；
( |E| ) 為電場強度絕對值；
( t ) 為載流子從釋放到被探測的時間間隔。

更一般化的表達式為： $$ mu = frac{v_d}{|E|} $$ 其中 ( v_d ) 為載流子的平均漂移速度。

4.應用領域

半導體器件設計：遷移率是評估材料性能的關鍵參數，高遷移率材料（如砷化镓）常用于高頻、高速器件。
實驗測量：通過光脈沖法或霍爾效應實驗測定遷移率，以分析材料的電學特性。

5.單位與量綱

漂移遷移率的國際單位為cm²/(V·s)，表示每伏特電場下每秒載流子移動的平方厘米距離。

漂移遷移率通過量化載流子對電場的響應能力，為半導體材料的性能評估和器件優化提供了核心依據。其測量與計算在光電子學、集成電路設計等領域具有廣泛應用。