漂移迁移率英文解释翻译、漂移迁移率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 drift mobility

分词翻译：

移的英语翻译：

change; move; shift
【医】 trans-

迁移率的英语翻译：

【化】 mobility; mobility ratio

专业解析

在半导体物理学中，"漂移迁移率"（Drift Mobility）是描述载流子（电子或空穴）在外加电场作用下运动能力的核心参数。其定义为载流子的平均漂移速度(v_d)与施加电场强度(E)的比值，数学表达式为： $$ mu = frac{v_d}{E} $$ 该参数直接反映材料导电性能，迁移率越高表明载流子在电场中移动效率越强。

漂移迁移率受以下主要因素影响：

晶格散射：半导体材料晶格振动会阻碍载流子运动，温度升高时该效应加剧导致迁移率下降
杂质散射：掺杂离子产生的库仑力场会改变载流子轨迹，高浓度掺杂会显著降低迁移率
材料结构：砷化镓(GaAs)的电子迁移率（约8500 cm²/(V·s)）远超硅（约1500 cm²/(V·s)），这种差异源于能带结构的不同

在器件工程领域，迁移率参数对MOSFET跨导、太阳能电池载流子收集效率等关键指标具有决定性作用。国际半导体技术路线图(ITRS)特别指出，迁移率优化是纳米级器件性能提升的核心挑战之一。

权威参考文献：《半导体物理与器件》第4版，Neamen著，McGraw-Hill出版施敏《半导体器件物理》第三章载流子输运理论 IEEE Electron Device Letters关于高迁移率沟道材料的研究论文

网络扩展解释

漂移迁移率是半导体物理学中的重要概念，主要用于描述载流子在电场作用下的迁移能力。以下是详细解释：

1.基本定义

漂移迁移率（Drift Mobility）指非平衡载流子（如电子或空穴）在电场作用下产生的平均漂移速度与电场强度绝对值的比值。其物理意义在于衡量载流子在外加电场中的运动效率，直接决定半导体的导电性能。

2.物理意义

载流子迁移效率：迁移率越高，载流子受电场驱动的速度越快，半导体的导电性越强。
影响因素：与材料中的散射机制（如晶格振动、杂质散射）相关，散射概率越高，迁移率越低。

3.计算公式

根据实验测量方法，漂移迁移率的公式为： $$ mu = frac{x}{|E| cdot t} $$ 其中：

( mu ) 为漂移迁移率（单位：cm²/(V·s)）；
( x ) 为载流子漂移距离；
( |E| ) 为电场强度绝对值；
( t ) 为载流子从释放到被探测的时间间隔。

更一般化的表达式为： $$ mu = frac{v_d}{|E|} $$ 其中 ( v_d ) 为载流子的平均漂移速度。

4.应用领域

半导体器件设计：迁移率是评估材料性能的关键参数，高迁移率材料（如砷化镓）常用于高频、高速器件。
实验测量：通过光脉冲法或霍尔效应实验测定迁移率，以分析材料的电学特性。

5.单位与量纲

漂移迁移率的国际单位为cm²/(V·s)，表示每伏特电场下每秒载流子移动的平方厘米距离。

漂移迁移率通过量化载流子对电场的响应能力，为半导体材料的性能评估和器件优化提供了核心依据。其测量与计算在光电子学、集成电路设计等领域具有广泛应用。