
【計】 mesa transistor
broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
台面晶體管(Mesa Transistor)是一種早期半導體器件,其名稱源于制造過程中形成的三維“台面”結構(英文“mesa”指平頂山丘)。該器件屬于雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT),由發射極、基極和集電極構成,其核心特征是通過化學蝕刻工藝在半導體材料表面形成階梯狀台面,以實現各區域的電隔離。
從技術結構看,台面晶體管采用合金法或擴散法制備,基區厚度通常在微米量級。與平面晶體管相比,其PN結暴露在空氣中,需通過表面鈍化處理提升穩定性。根據《半導體器件物理與工藝》(施敏著),該結構在1950-1960年代廣泛應用于高頻放大電路,典型特征包括:
美國貝爾實驗室1951年的專利文獻顯示,台面結構最初用于解決鍺晶體管表面複合問題。現代電子工程手冊(Horowitz & Hill著)指出,該技術為集成電路制造工藝奠定了基礎,其蝕刻方法衍生出當今微電子加工中的各向異性刻蝕技術。
台面晶體管是一種基于半導體結構的電子器件,其名稱來源于其獨特的台面狀物理形态。以下從結構、制造工藝、性能特點等方面進行詳細解釋:
結構與定義
制造工藝
性能優勢
與平面晶體管對比 | 特性 | 台面晶體管 | 平面晶體管 | |--------------|------------------------------|------------------------------| | 表面形态 | 階梯狀台面 | 平坦表面(含微小台階) | | p-n結方向| 垂直側表面 | 平行表面彎曲延伸 | | 擊穿機制 | 體内雪崩擊穿為主 | 易發生表面擊穿 | | 應用領域 | 高電壓、大功率場景 | 常規集成電路、低功耗設備 |
典型應用 主要用于早期分立器件制造,特别是對耐壓要求較高的功率晶體管、微波器件等。隨着平面工藝發展,現代集成電路中台面結構多用于特殊器件設計。
需要查看完整技術細節可參考道客巴巴的工藝對比文獻及知網百科的器件分類說明。
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