
【計】 bidirectional transistor
【計】 bothway; bustophedon; duplexing
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
雙向晶體管(Bidirectional Transistor)是一種可在兩個方向導通電流的半導體器件,其核心特性在于通過控制極信號實現電流的雙向調節。該器件在結構上通常采用對稱設計,例如雙向雙極結型晶體管(BJT)或雙向場效應晶體管(FET),其集電極與發射極(或源極與漏極)在特定偏置條件下可互換功能。
從工作模式看,雙向晶體管區别于傳統單向器件的關鍵在于其動态阈值電壓特性。當控制端施加正向偏置時,器件允許電流從A端流向B端;而反向偏置時,電流可沿B→A方向導通。這種特性使其在交流開關電路、H橋電機驅動等需要電流反向的場景中具有關鍵應用價值。
根據IEEE 315标準對半導體器件的分類,雙向晶體管被歸類為"對稱型三端開關器件"。其技術參數需滿足以下條件: $$ V{CEO} = V{EBO} h{FE}(正向) approx h{FE}(反向) $$ 即集電極-發射極擊穿電壓與發射極-基極擊穿電壓相等,正向與反向電流放大系數基本一緻。
在工業應用中,這類器件常見于電源管理IC(如TI的BQ系列芯片)和固态繼電器設計。美國專利US6822883B1詳細記載了基于矽基雙向晶體管的過流保護電路實現方案,其響應時間可達微秒級。
值得關注的是,國際電工委員會(IEC)在IEC 60747标準中特别規定了雙向晶體管的測試方法,要求在進行反向偏置測試時需保持結溫低于150°C,以确保器件可靠性。
“雙向晶體管”可能是指“雙極型晶體管”(Bipolar Junction Transistor, BJT),這是一種常見的半導體器件。以下是詳細解釋:
雙極型晶體管是一種電流控制型器件,通過基極電流控制集電極-發射極之間的電流。其名稱中的“雙極”源于導電過程中電子和空穴兩種載流子同時參與(與僅依賴單一載流子的場效應管不同)。
廣泛用于放大、振蕩、開關電路,常見于:
特性 | 雙極型晶體管(BJT) | 場效應管(FET) |
---|---|---|
控制方式 | 電流控制 | 電壓控制 |
載流子類型 | 電子和空穴 | 單一載流子 |
輸入阻抗 | 低 | 高 |
若需進一步了解具體電路設計或型號選型,可提供更多背景信息以便補充。
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