雙逃逸峰英文解釋翻譯、雙逃逸峰的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 double escape peak

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

逃逸峰的英語翻譯：

【化】 escape peak

專業解析

雙逃逸峰（double escape peak）是光譜分析領域中的專業術語，指高能光子與探測器相互作用時産生次級光子的特殊現象。該現象常見于高分辨率X射線熒光光譜儀和伽馬射線探測器中，當入射粒子在探測器内經曆兩次逃逸過程時，會在能譜圖上形成兩個相鄰的特征峰。

從物理機制分析，雙逃逸峰的形成涉及兩個階段：首先入射伽馬射線通過電子對效應産生正負電子對，隨後其中一個511keV的湮滅光子逃逸探測器，最終記錄的能量為原始能量減去1022keV。這種雙重能量損失過程形成的特征峰，可作為核素識别的重要依據（來源：美國國家标準與技術研究院《伽馬射線能譜學基礎》）。

在實踐應用中，雙逃逸峰具有重要價值：

核醫學成像中用于精确校準PET掃描儀能量窗口
天體物理學中幫助鑒别宇宙伽馬射線暴的組成元素
環境監測領域作為特定放射性核素（如0Co）的特征識别标記

該術語對應的英文表述為"double escape peak"，在《IEEE核科學與醫學影像标準術語表》中被明确定義為："A spectral peak formed when two annihilation photons escape from the detector following pair production."（來源：IEEE标準協會官網術語數據庫）

網絡擴展解釋

雙逃逸峰是γ射線能譜分析中的一個重要概念，主要與高能光子（能量＞1.022 MeV）在探測器内的相互作用有關。其定義和形成機制如下：

1.形成機制

當高能γ射線進入探測器時，可能發生電子對效應，即光子能量轉化為一對正負電子。隨後，正電子與探測器内電子湮滅，産生兩個能量均為0.511 MeV的湮沒光子。若這兩個湮沒光子同時逃逸出探測器，則探測器記錄的能量為原γ射線能量減去兩倍湮沒光子能量（即2×0.511 MeV=1.022 MeV），此時形成的峰稱為雙逃逸峰。

2.能量關系

雙逃逸峰的能量計算公式為： $$ E{text{雙逃逸峰}} = E{gamma} - 2 times 0.511 , text{MeV} $$ 例如，若原γ射線能量為2.0 MeV，則雙逃逸峰位于2.0 - 1.022 = 0.978 MeV處。

3.與單逃逸峰的區别

單逃逸峰：僅一個湮沒光子逃逸，能量減少0.511 MeV；
雙逃逸峰：兩個湮沒光子均逃逸，能量減少1.022 MeV。

4.其他逃逸峰類型

在X射線能譜中，逃逸峰可能由探測器材料（如矽）的特征X射線逃逸引起。例如，矽探測器（Si）的逃逸峰能量比主峰低1.74 keV（對應Si的Kα能量），但其形成機制與γ射線的電子對效應不同，屬于低能量範圍的逃逸現象。

5.應用場景

雙逃逸峰常見于核物理實驗或放射性測量中，尤其在高能γ射線（如核反應或放射性核素衰變）的能譜分析中需重點識别，以避免誤判峰位對應的能量值。

雙逃逸峰反映了探測器對高能光子的不完全能量沉積特性，其存在對能譜解析和核素識别具有重要意義。