双逃逸峰英文解释翻译、双逃逸峰的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 double escape peak

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

逃逸峰的英语翻译：

【化】 escape peak

专业解析

双逃逸峰（double escape peak）是光谱分析领域中的专业术语，指高能光子与探测器相互作用时产生次级光子的特殊现象。该现象常见于高分辨率X射线荧光光谱仪和伽马射线探测器中，当入射粒子在探测器内经历两次逃逸过程时，会在能谱图上形成两个相邻的特征峰。

从物理机制分析，双逃逸峰的形成涉及两个阶段：首先入射伽马射线通过电子对效应产生正负电子对，随后其中一个511keV的湮灭光子逃逸探测器，最终记录的能量为原始能量减去1022keV。这种双重能量损失过程形成的特征峰，可作为核素识别的重要依据（来源：美国国家标准与技术研究院《伽马射线能谱学基础》）。

在实践应用中，双逃逸峰具有重要价值：

核医学成像中用于精确校准PET扫描仪能量窗口
天体物理学中帮助鉴别宇宙伽马射线暴的组成元素
环境监测领域作为特定放射性核素（如0Co）的特征识别标记

该术语对应的英文表述为"double escape peak"，在《IEEE核科学与医学影像标准术语表》中被明确定义为："A spectral peak formed when two annihilation photons escape from the detector following pair production."（来源：IEEE标准协会官网术语数据库）

网络扩展解释

双逃逸峰是γ射线能谱分析中的一个重要概念，主要与高能光子（能量＞1.022 MeV）在探测器内的相互作用有关。其定义和形成机制如下：

1.形成机制

当高能γ射线进入探测器时，可能发生电子对效应，即光子能量转化为一对正负电子。随后，正电子与探测器内电子湮灭，产生两个能量均为0.511 MeV的湮没光子。若这两个湮没光子同时逃逸出探测器，则探测器记录的能量为原γ射线能量减去两倍湮没光子能量（即2×0.511 MeV=1.022 MeV），此时形成的峰称为双逃逸峰。

2.能量关系

双逃逸峰的能量计算公式为： $$ E{text{双逃逸峰}} = E{gamma} - 2 times 0.511 , text{MeV} $$ 例如，若原γ射线能量为2.0 MeV，则双逃逸峰位于2.0 - 1.022 = 0.978 MeV处。

3.与单逃逸峰的区别

单逃逸峰：仅一个湮没光子逃逸，能量减少0.511 MeV；
双逃逸峰：两个湮没光子均逃逸，能量减少1.022 MeV。

4.其他逃逸峰类型

在X射线能谱中，逃逸峰可能由探测器材料（如硅）的特征X射线逃逸引起。例如，硅探测器（Si）的逃逸峰能量比主峰低1.74 keV（对应Si的Kα能量），但其形成机制与γ射线的电子对效应不同，属于低能量范围的逃逸现象。

5.应用场景

双逃逸峰常见于核物理实验或放射性测量中，尤其在高能γ射线（如核反应或放射性核素衰变）的能谱分析中需重点识别，以避免误判峰位对应的能量值。

双逃逸峰反映了探测器对高能光子的不完全能量沉积特性，其存在对能谱解析和核素识别具有重要意义。