突返二極管英文解釋翻譯、突返二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 step-recovery diode

分詞翻譯：

突的英語翻譯：

dash forward; projecting; sticking out; sudden
【醫】 mucro; papillae; process; Processus; umbo

返的英語翻譯：

return

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

突返二極管（Step Recovery Diode, SRD）

突返二極管，英文稱為Step Recovery Diode (SRD) 或Snap-off Diode，是一種特殊的半導體二極管，其核心特性在于其反向恢複時間極短，且在反向恢複結束時電流會呈現一個非常陡峭的截止（突返）特性。

基本定義與工作原理 (Basic Definition & Operating Principle)
- 結構 (Structure)：通常采用 PIN 結構（P型-本征層-N型半導體）。其關鍵特征是具有一個輕摻雜或接近本征（I）的中間層。這個寬且輕摻雜的區域是其特殊恢複特性的基礎。
- 正向偏置 (Forward Bias)：當施加正向電壓時，P區和N區的多數載流子（空穴和電子）注入到中間的I層中并儲存起來，形成大量的電荷存儲。
- 反向偏置與恢複過程 (Reverse Bias & Recovery Process)：當電壓突然從正向轉為反向時，存儲在I層中的電荷不會立即消失。初始階段，這些存儲電荷會被反向電場拉回各自原來的區域，形成較大的反向電流。關鍵特性在于：一旦這些存儲電荷被耗盡，二極管的反向電流會從最大值（由存儲電荷決定）極其迅速地（在皮秒量級）下降到非常小的反向飽和電流值。這個電流的“突然截止”或“階躍恢複”行為是其名稱的由來。
核心特性：階躍恢複時間 (Key Characteristic: Step Recovery Time)
- 定義階躍恢複時間 ( t_s ) 為反向電流從其峰值下降到其峰值的一個特定小比例（例如10%）所需的時間。這個時間非常短，通常在皮秒（ps）到納秒（ns）量級，遠小于普通整流二極管或快恢複二極管。
- 這個陡峭的電流截止過程使其能夠産生非常豐富的諧波分量。
電路符號與關鍵參數 (Circuit Symbol & Key Parameters)
- 電路符號 (Circuit Symbol)：通常使用标準二極管符號，有時會标注“SRD”或使用特定符號表示其階躍特性。
- 關鍵參數 (Key Parameters)：
  - 反向恢複時間 ( t_{rr} ) (Reverse Recovery Time)：雖然定義與普通二極管相同（電流從零經反向峰值回到接近零的時間），但SRD的 ( t_{rr} ) 主要體現為存儲時間 ( t_s )（存儲電荷耗盡的時間），其後的下降時間 ( t_f ) 極短。
  - 階躍恢複時間 ( t_s ) (Step Recovery Time)：核心參數，表征電流截止的陡峭程度。
  - 存儲電荷 ( Q_s ) (Stored Charge)：正向導通時存儲在I層中的電荷量，影響反向電流峰值和恢複時間。
  - 擊穿電壓 ( V_{BR} ) (Breakdown Voltage)：二極管能承受的最大反向電壓。
  - 結電容 ( C_j ) (Junction Capacitance)：在特定偏置下的電容值，影響高頻性能。
主要應用 (Primary Applications)
- 倍頻器 (Frequency Multipliers)：這是SRD最經典和最重要的應用。利用其電流的陡峭截止（階躍）特性産生豐富的諧波，通過諧振電路選出所需的諧波（如2倍頻、3倍頻、4倍頻甚至更高次倍頻），實現高效的高頻信號産生。廣泛應用于微波信號源、雷達系統、通信設備等。
- 高速脈沖發生器 (High-Speed Pulse Generators)：利用其快速開關特性産生極窄的脈沖（皮秒級）。
- 取樣電路 (Sampling Circuits)：在高速取樣示波器等設備中用于快速采樣信號。
- 脈沖整形 (Pulse Shaping)：用于産生或整形特定形狀的脈沖。

權威參考來源 (Authoritative References):

IEEE Standards Association. IEEE Standard for Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams (Including Reference Designation Letters), IEEE Std 315-1975 (Reaffirmed 1993, 2002, 2008). (該标準定義了電子元器件的圖形符號，是電子工程領域的權威參考。)
S. M. Sze & K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition. Wiley-Interscience, 2006. (這本經典教材深入闡述了包括PIN二極管在内的各種半導體器件的物理原理和工作機制。)
Microwaves101 (Educational Resource). Step Recovery Diodes. (這是一個廣泛認可的微波工程教育網站，提供對微波元器件和概念清晰易懂的解釋，其内容通常經過領域專家審閱。)
Keysight Technologies (formerly Agilent / HP). Application Notes and Technical Documents on Frequency Multipliers and Signal Generation. (Keysight作為領先的測試測量設備制造商，其應用筆記和技術文檔提供了基于實際工程應用的深入見解和設計指南，常涉及SRD的使用。)
Skyworks Solutions, Inc. (or similar semiconductor component manufacturers). Product Datasheets for Step Recovery Diodes. (器件制造商的數據手冊提供了具體SRD産品的詳細電氣特性、參數和典型應用電路，是設計工程師最直接的權威參考依據。例如，搜索特定型號如 SMS7630 的數據手冊。)

網絡擴展解釋

根據現有資料分析，"突返二極管"并非電子工程領域的标準術語，可能為以下兩種情況：

一、術語誤寫或翻譯問題

可能指代類型推測
- 快恢複二極管（Fast Recovery Diode）：用于高頻開關電路，快速切斷反向電流。
- TVS二極管（瞬态電壓抑制二極管）：用于吸收突發的電壓尖峰（如雷擊、靜電），保護敏感電路。
- 續流二極管：在電感負載斷開時提供電流通路，防止反向電壓突變損壞元件。
功能關聯性
上述類型均涉及對電路突變的響應，例如電壓突變（TVS）、電流突變（續流）或高頻信號突變（快恢複）。

二、标準二極管核心原理補充

若需理解二極管對"突變"的響應機制，需結合其物理特性：

PN結單向導電性
正向偏置時導通，反向偏置時截止，天然具備阻斷反向突變電流的能力。
反向恢複時間
快恢複二極管通過優化摻雜工藝，縮短從導通到截止的切換時間（納秒級），適用于高頻場景。

建議

若具體場景涉及電壓/電流突變防護，可參考以下應用：

防反接：串聯普通二極管阻斷反向電流。
續流保護：并聯在繼電器/電機兩端，吸收電感能量。
穩壓：齊納二極管穩定電壓，應對負載突變。

如需進一步解答，請提供更具體的應用背景或确認術語準确性。