突返二极管英文解释翻译、突返二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 step-recovery diode

分词翻译：

突的英语翻译：

dash forward; projecting; sticking out; sudden
【医】 mucro; papillae; process; Processus; umbo

返的英语翻译：

return

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

突返二极管（Step Recovery Diode, SRD）

突返二极管，英文称为Step Recovery Diode (SRD) 或Snap-off Diode，是一种特殊的半导体二极管，其核心特性在于其反向恢复时间极短，且在反向恢复结束时电流会呈现一个非常陡峭的截止（突返）特性。

基本定义与工作原理 (Basic Definition & Operating Principle)
- 结构 (Structure)：通常采用 PIN 结构（P型-本征层-N型半导体）。其关键特征是具有一个轻掺杂或接近本征（I）的中间层。这个宽且轻掺杂的区域是其特殊恢复特性的基础。
- 正向偏置 (Forward Bias)：当施加正向电压时，P区和N区的多数载流子（空穴和电子）注入到中间的I层中并储存起来，形成大量的电荷存储。
- 反向偏置与恢复过程 (Reverse Bias & Recovery Process)：当电压突然从正向转为反向时，存储在I层中的电荷不会立即消失。初始阶段，这些存储电荷会被反向电场拉回各自原来的区域，形成较大的反向电流。关键特性在于：一旦这些存储电荷被耗尽，二极管的反向电流会从最大值（由存储电荷决定）极其迅速地（在皮秒量级）下降到非常小的反向饱和电流值。这个电流的“突然截止”或“阶跃恢复”行为是其名称的由来。
核心特性：阶跃恢复时间 (Key Characteristic: Step Recovery Time)
- 定义阶跃恢复时间 ( t_s ) 为反向电流从其峰值下降到其峰值的一个特定小比例（例如10%）所需的时间。这个时间非常短，通常在皮秒（ps）到纳秒（ns）量级，远小于普通整流二极管或快恢复二极管。
- 这个陡峭的电流截止过程使其能够产生非常丰富的谐波分量。
电路符号与关键参数 (Circuit Symbol & Key Parameters)
- 电路符号 (Circuit Symbol)：通常使用标准二极管符号，有时会标注“SRD”或使用特定符号表示其阶跃特性。
- 关键参数 (Key Parameters)：
  - 反向恢复时间 ( t_{rr} ) (Reverse Recovery Time)：虽然定义与普通二极管相同（电流从零经反向峰值回到接近零的时间），但SRD的 ( t_{rr} ) 主要体现为存储时间 ( t_s )（存储电荷耗尽的时间），其后的下降时间 ( t_f ) 极短。
  - 阶跃恢复时间 ( t_s ) (Step Recovery Time)：核心参数，表征电流截止的陡峭程度。
  - 存储电荷 ( Q_s ) (Stored Charge)：正向导通时存储在I层中的电荷量，影响反向电流峰值和恢复时间。
  - 击穿电压 ( V_{BR} ) (Breakdown Voltage)：二极管能承受的最大反向电压。
  - 结电容 ( C_j ) (Junction Capacitance)：在特定偏置下的电容值，影响高频性能。
主要应用 (Primary Applications)
- 倍频器 (Frequency Multipliers)：这是SRD最经典和最重要的应用。利用其电流的陡峭截止（阶跃）特性产生丰富的谐波，通过谐振电路选出所需的谐波（如2倍频、3倍频、4倍频甚至更高次倍频），实现高效的高频信号产生。广泛应用于微波信号源、雷达系统、通信设备等。
- 高速脉冲发生器 (High-Speed Pulse Generators)：利用其快速开关特性产生极窄的脉冲（皮秒级）。
- 取样电路 (Sampling Circuits)：在高速取样示波器等设备中用于快速采样信号。
- 脉冲整形 (Pulse Shaping)：用于产生或整形特定形状的脉冲。

权威参考来源 (Authoritative References):

IEEE Standards Association. IEEE Standard for Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams (Including Reference Designation Letters), IEEE Std 315-1975 (Reaffirmed 1993, 2002, 2008). (该标准定义了电子元器件的图形符号，是电子工程领域的权威参考。)
S. M. Sze & K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition. Wiley-Interscience, 2006. (这本经典教材深入阐述了包括PIN二极管在内的各种半导体器件的物理原理和工作机制。)
Microwaves101 (Educational Resource). Step Recovery Diodes. (这是一个广泛认可的微波工程教育网站，提供对微波元器件和概念清晰易懂的解释，其内容通常经过领域专家审阅。)
Keysight Technologies (formerly Agilent / HP). Application Notes and Technical Documents on Frequency Multipliers and Signal Generation. (Keysight作为领先的测试测量设备制造商，其应用笔记和技术文档提供了基于实际工程应用的深入见解和设计指南，常涉及SRD的使用。)
Skyworks Solutions, Inc. (or similar semiconductor component manufacturers). Product Datasheets for Step Recovery Diodes. (器件制造商的数据手册提供了具体SRD产品的详细电气特性、参数和典型应用电路，是设计工程师最直接的权威参考依据。例如，搜索特定型号如 SMS7630 的数据手册。)

网络扩展解释

根据现有资料分析，"突返二极管"并非电子工程领域的标准术语，可能为以下两种情况：

一、术语误写或翻译问题

可能指代类型推测
- 快恢复二极管（Fast Recovery Diode）：用于高频开关电路，快速切断反向电流。
- TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）：用于吸收突发的电压尖峰（如雷击、静电），保护敏感电路。
- 续流二极管：在电感负载断开时提供电流通路，防止反向电压突变损坏元件。
功能关联性
上述类型均涉及对电路突变的响应，例如电压突变（TVS）、电流突变（续流）或高频信号突变（快恢复）。

二、标准二极管核心原理补充

若需理解二极管对"突变"的响应机制，需结合其物理特性：

PN结单向导电性
正向偏置时导通，反向偏置时截止，天然具备阻断反向突变电流的能力。
反向恢复时间
快恢复二极管通过优化掺杂工艺，缩短从导通到截止的切换时间（纳秒级），适用于高频场景。

建议

若具体场景涉及电压/电流突变防护，可参考以下应用：

防反接：串联普通二极管阻断反向电流。
续流保护：并联在继电器/电机两端，吸收电感能量。
稳压：齐纳二极管稳定电压，应对负载突变。

如需进一步解答，请提供更具体的应用背景或确认术语准确性。