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突觸電位英文解釋翻譯、突觸電位的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【醫】 synaptic potential

分詞翻譯:

突觸的英語翻譯:

【醫】 synapse; synapsis; synaptic junction

電位的英語翻譯:

【醫】 potential

專業解析

突觸電位(Synaptic Potential)是神經科學中描述神經元之間信號傳遞産生的局部電位變化的總稱。根據電位的性質與作用方向,可主要分為興奮性突觸後電位(Excitatory Postsynaptic Potential, EPSP)和抑制性突觸後電位(Inhibitory Postsynaptic Potential, IPSP)兩類。

1. 興奮性突觸後電位(EPSP)

當突觸前神經元釋放興奮性神經遞質(如谷氨酸)時,突觸後膜的離子通道開放,鈉離子内流導緻膜電位去極化(例如從-70mV升至-65mV)。這種局部電位變化若達到阈值(約-55mV),可觸發動作電位。其離子機制主要依賴配體門控鈉離子通道。

2. 抑制性突觸後電位(IPSP)

由抑制性遞質(如γ-氨基丁酸GABA)引發,突觸後膜氯離子内流或鉀離子外流,導緻膜電位超極化(如從-70mV降至-75mV),從而降低神經元興奮性。此過程涉及GABA_A受體通道的激活。

功能與生理意義

突觸電位的時空總和(temporal and spatial summation)是神經整合的核心機制,決定了神經元是否産生動作電位。例如,海馬區神經元通過EPSP和IPSP的平衡實現學習與記憶的編碼。

擴展概念

權威參考來源

網絡擴展解釋

突觸電位是神經元之間或神經元與效應細胞之間傳遞信號時産生的電位變化,其核心機制涉及化學遞質釋放和離子通道改變。以下為詳細解釋:

一、基本定義

突觸電位(Synaptic Potential)指突觸傳遞過程中,在突觸後神經元或細胞膜上發生的局部電位變化,可分為興奮性突觸後電位(EPSP)和抑制性突觸後電位(IPSP)兩類。其本質是突觸前神經元釋放神經遞質,導緻突觸後膜離子通透性改變引起的電信號。


二、結構與功能基礎

  1. 突觸結構
    由突觸前膜(遞質釋放部位)、突觸間隙(遞質擴散區域)和突觸後膜(含受體或化學門控通道)三部分構成。

    • 示例:突觸小體的膨大末端與其他神經元的樹突或胞體接觸形成功能性連接。
  2. 電位類型對比
    | 類型| 離子變化 | 膜電位方向 | 功能效果 | |-------------|------------------------|------------|--------------------| | EPSP| Na⁺内流>K⁺外流 | 去極化 | 促進動作電位産生 | | IPSP| Cl⁻内流或K⁺外流 | 超極化 | 抑制動作電位觸發 |


三、産生機制

  1. 遞質釋放
    突觸前膜動作電位觸發鈣離子内流,促使囊泡釋放遞質(如谷氨酸、GABA)至突觸間隙。

  2. 後膜反應
    遞質與突觸後膜受體結合後:

    • EPSP:打開Na⁺通道,膜去極化;
    • IPSP:激活Cl⁻或K⁺通道,膜超極化或通過“短路效應”降低其他興奮信號。
  3. 總和效應
    多個突觸電位的時空總和可決定是否達到動作電位阈值,此為神經整合的核心機制。


四、生理意義

突觸電位是神經系統信息處理的基本單位,其動态平衡直接影響學習、記憶及反射等高級功能。研究其機制對理解神經退行性疾病(如阿爾茨海默病)有重要價值。

分類

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