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突触电位英文解释翻译、突触电位的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【医】 synaptic potential

分词翻译:

突触的英语翻译:

【医】 synapse; synapsis; synaptic junction

电位的英语翻译:

【医】 potential

专业解析

突触电位(Synaptic Potential)是神经科学中描述神经元之间信号传递产生的局部电位变化的总称。根据电位的性质与作用方向,可主要分为兴奋性突触后电位(Excitatory Postsynaptic Potential, EPSP)和抑制性突触后电位(Inhibitory Postsynaptic Potential, IPSP)两类。

1. 兴奋性突触后电位(EPSP)

当突触前神经元释放兴奋性神经递质(如谷氨酸)时,突触后膜的离子通道开放,钠离子内流导致膜电位去极化(例如从-70mV升至-65mV)。这种局部电位变化若达到阈值(约-55mV),可触发动作电位。其离子机制主要依赖配体门控钠离子通道。

2. 抑制性突触后电位(IPSP)

由抑制性递质(如γ-氨基丁酸GABA)引发,突触后膜氯离子内流或钾离子外流,导致膜电位超极化(如从-70mV降至-75mV),从而降低神经元兴奋性。此过程涉及GABA_A受体通道的激活。

功能与生理意义

突触电位的时空总和(temporal and spatial summation)是神经整合的核心机制,决定了神经元是否产生动作电位。例如,海马区神经元通过EPSP和IPSP的平衡实现学习与记忆的编码。

扩展概念

权威参考来源

网络扩展解释

突触电位是神经元之间或神经元与效应细胞之间传递信号时产生的电位变化,其核心机制涉及化学递质释放和离子通道改变。以下为详细解释:

一、基本定义

突触电位(Synaptic Potential)指突触传递过程中,在突触后神经元或细胞膜上发生的局部电位变化,可分为兴奋性突触后电位(EPSP)和抑制性突触后电位(IPSP)两类。其本质是突触前神经元释放神经递质,导致突触后膜离子通透性改变引起的电信号。


二、结构与功能基础

  1. 突触结构
    由突触前膜(递质释放部位)、突触间隙(递质扩散区域)和突触后膜(含受体或化学门控通道)三部分构成。

    • 示例:突触小体的膨大末端与其他神经元的树突或胞体接触形成功能性连接。
  2. 电位类型对比
    | 类型| 离子变化 | 膜电位方向 | 功能效果 | |-------------|------------------------|------------|--------------------| | EPSP| Na⁺内流>K⁺外流 | 去极化 | 促进动作电位产生 | | IPSP| Cl⁻内流或K⁺外流 | 超极化 | 抑制动作电位触发 |


三、产生机制

  1. 递质释放
    突触前膜动作电位触发钙离子内流,促使囊泡释放递质(如谷氨酸、GABA)至突触间隙。

  2. 后膜反应
    递质与突触后膜受体结合后:

    • EPSP:打开Na⁺通道,膜去极化;
    • IPSP:激活Cl⁻或K⁺通道,膜超极化或通过“短路效应”降低其他兴奋信号。
  3. 总和效应
    多个突触电位的时空总和可决定是否达到动作电位阈值,此为神经整合的核心机制。


四、生理意义

突触电位是神经系统信息处理的基本单位,其动态平衡直接影响学习、记忆及反射等高级功能。研究其机制对理解神经退行性疾病(如阿尔茨海默病)有重要价值。

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