反向二极管英文解释翻译、反向二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 backward diode

分词翻译：

反向的英语翻译：

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

反向二极管（Reverse Diode），在电子工程领域通常指具有特殊反向工作特性的半导体器件，其核心含义与齐纳二极管（Zener Diode）或工作在反向击穿区的普通二极管密切相关。以下是基于汉英对照角度的详细解释：

一、基础定义

中文术语：反向二极管
英文术语：Reverse Diode / Zener Diode

物理本质：一种PN结二极管，设计用于在反向偏置电压下稳定导通。当反向电压达到特定阈值（击穿电压）时，电流急剧增加，实现电压稳压功能。

结构特征：通过高浓度掺杂形成窄耗尽层，降低击穿电压（通常为2-200V）。

工作模式对比

工作状态	普通二极管	反向二极管（齐纳型）
正向偏置	导通（低压降）	类似普通二极管
反向偏置	截止（极小漏电流）	击穿后稳定导通（稳压特性）
关键参数	正向压降（0.7V）	击穿电压（Vz）、温度系数

二、工作机制

反向击穿（Reverse Breakdown）
当反向电压超过击穿阈值（Vz）时，发生以下两种物理效应：
- 齐纳击穿（低Vz<5V）：高电场直接破坏共价键，产生电子空穴对。
- 雪崩击穿（高Vz>7V）：载流子碰撞电离引发连锁倍增效应。
  公式表达击穿条件：
  
  $$ V_R geq V_Z $$
稳压原理
击穿后电流大幅变化（ΔI）时，电压保持相对恒定（ΔV≈0），满足：

$$ Delta V = Delta I times Z_Z $$

其中$Z_Z$为动态阻抗（典型值1-50Ω），值越小稳压性能越优。

三、典型应用

电压基准源
利用稳定Vz特性为电路提供精准参考电压，如ADC模块的基准源设计。

实例：3.3V系统常用Vz=3.3V的齐纳管（如BZX84C3V3）。
过压保护电路
并联在敏感器件输入端，当电压超过Vz时导通分流，保护后级电路（如USB端口ESD防护）。
波形削波器
限制信号幅度至Vz以下，用于音频信号整形或电源浪涌抑制。

四、权威参考文献

《微电子器件》（陈星弼，电子工业出版社）
详解PN结反向击穿机理与齐纳管设计准则。

ON Semiconductor技术文档
Zener Diode Application Notes（击穿特性曲线与温度系数分析）。

IEEE标准
IEEE Std 255-1963 "Zener Diode Symbols and Test Methods" 定义电气参数测试规范。

注：术语“反向二极管”在部分文献中亦指反向恢复时间极短的阶跃恢复二极管（Step Recovery Diode），但主流语境下仍与齐纳二极管同义。实际应用需根据击穿电压、功率及封装类型选型。

网络扩展解释

反向二极管（Backward Diode），又称反向隧道二极管，是一种特殊半导体器件，其核心特性为反向导电性优于正向，与普通二极管特性相反。以下是其详细解析：

一、基本结构与原理

结构特点
反向二极管的核心是高掺杂的P-N结，其中一侧为简并半导体（极高掺杂），另一侧掺杂浓度稍低但接近简并状态。这种结构导致其能带特性特殊，允许电子通过量子隧穿效应导通。
伏安特性
- 正向特性：低电压下电流极小（类似普通二极管的少数载流子扩散电流），不出现隧道效应。
- 反向特性：在较小反向电压时即可产生显著的隧道电流，导电能力优于正向。

二、关键特性与优势

反向击穿电压低：通常比正向导通电压更低，适用于低压场景。
温度稳定性高：反向电流受温度影响较小，适合精密电路。
快速响应：隧道效应无载流子存储时间，高频性能优异。

三、主要应用场景

小信号整流
可处理低至200mV的微弱信号，普通二极管难以实现。
高频电路
用于检波、混频等高频场景，依赖其快速响应特性。
过压保护
在电源电路中防止反向电压冲击，类似稳压二极管功能，但原理不同。
脉冲抑制
抑制电子系统中的瞬态脉冲，延长设备寿命。

四、与普通二极管的区别

特性	反向二极管	普通二极管
导电方向优势	反向电流更大	正向电流更大
击穿机制	隧道效应主导	雪崩击穿或齐纳击穿
适用电压范围	低电压（通常<1V）	较高电压（通常数伏以上）

五、注意事项

命名混淆：部分资料可能将反向二极管与齐纳二极管（Zener Diode）混淆，但两者原理不同。
极性识别：使用时需严格区分正负极，反向接法可能损坏电路。

如需更详细参数或行业报告，可参考（2025年行业预测报告）。