反向传输因数英文解释翻译、反向传输因数的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reverse transmission factor

分词翻译：

反向的英语翻译：

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

传输的英语翻译：

transmission; transmit
【计】 transfers; transmission; transput; X; XFER

因数的英语翻译：

factor
【电】 factor

专业解析

反向传输因数（Reverse Transfer Coefficient）是电子工程中描述双极型晶体管反向工作特性的关键参数，其英文对应术语为"reverse current transfer ratio"或"h参数体系中的$h{re}$"（$h{re} = frac{partial v{BE}}{partial v{CE}}|_{i_B}$）。该参数定义为在基极电流恒定时，集电极-发射极电压变化引起的基极-发射极电压变化量之比。

在半导体器件物理层面，反向传输因数表征了晶体管输出回路对输入回路的反向作用效应，主要反映基区宽度调制效应（Early效应）的影响。典型值范围在$1×10^{-4}$至$10×10^{-4}$之间，该数值会随集电极电流增加呈指数规律衰减。

根据IEEE标准241-1990对晶体管参数的分类，反向传输因数属于混合参数（h参数）体系的第二类参数，用于高频电路设计和稳定性分析。在放大器设计中，该参数直接影响电路的反馈系数和频率响应特性。

参考资料：

《半导体器件物理与工艺》(施敏著)，第8章双极型晶体管特性
清华大学电子工程系《模拟电路基础》课程讲义
IEEE Standard 241-1990 "IEEE Standard Definitions of Terms for Semiconductor Devices"

网络扩展解释

“反向传输因数”（Reverse Transfer Factor）是一个电子工程领域中的术语，通常用于描述半导体器件（如晶体管）或电路网络中的信号传输特性。具体含义可能因应用场景不同而有所差异，以下是两种常见解释方向：

1.晶体管中的反向传输因数

在晶体管参数中，反向传输因数通常指器件在反向工作模式下，输出端对输入端的信号传递能力。例如：

场效应晶体管（FET）：可能指栅极-源极电压对漏极电流的影响，常用跨导（( g{os} )）或反向传输导纳表示，公式为： $$ g{os} = left. frac{partial ID}{partial V{GS}} right|{V{DS}} $$
双极型晶体管（BJT）：可能指反向电流放大系数（如反向β值），即发射极作为集电极时的电流传输效率。

2.二端口网络中的反向传输因数

在电路分析中，二端口网络的混合参数（h参数）中，( h{12} ) 被称为“反向电压传输比”，定义为： $$ h{12} = left. frac{V_1}{V2} right|{I_1=0} $$ 它表示输出端电压对输入端电压的反馈影响，常用于分析放大器的稳定性或隔离度。

常见应用场景

反馈电路设计：反向传输因数用于评估反馈路径对系统的影响。
器件建模：在SPICE模型等仿真工具中，反向参数是器件特性建模的重要部分。
高频电路分析：涉及反向传输的电容或导纳参数（如( C_{gd} )）。

若您有具体的上下文（如器件型号、电路类型），可进一步提供信息以获取更精准的解释。