反向傳輸因數英文解釋翻譯、反向傳輸因數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reverse transmission factor

分詞翻譯：

反向的英語翻譯：

reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

因數的英語翻譯：

factor
【電】 factor

專業解析

反向傳輸因數（Reverse Transfer Coefficient）是電子工程中描述雙極型晶體管反向工作特性的關鍵參數，其英文對應術語為"reverse current transfer ratio"或"h參數體系中的$h{re}$"（$h{re} = frac{partial v{BE}}{partial v{CE}}|_{i_B}$）。該參數定義為在基極電流恒定時，集電極-發射極電壓變化引起的基極-發射極電壓變化量之比。

在半導體器件物理層面，反向傳輸因數表征了晶體管輸出回路對輸入回路的反向作用效應，主要反映基區寬度調制效應（Early效應）的影響。典型值範圍在$1×10^{-4}$至$10×10^{-4}$之間，該數值會隨集電極電流增加呈指數規律衰減。

根據IEEE标準241-1990對晶體管參數的分類，反向傳輸因數屬于混合參數（h參數）體系的第二類參數，用于高頻電路設計和穩定性分析。在放大器設計中，該參數直接影響電路的反饋系數和頻率響應特性。

參考資料：

《半導體器件物理與工藝》(施敏著)，第8章雙極型晶體管特性
清華大學電子工程系《模拟電路基礎》課程講義
IEEE Standard 241-1990 "IEEE Standard Definitions of Terms for Semiconductor Devices"

網絡擴展解釋

“反向傳輸因數”（Reverse Transfer Factor）是一個電子工程領域中的術語，通常用于描述半導體器件（如晶體管）或電路網絡中的信號傳輸特性。具體含義可能因應用場景不同而有所差異，以下是兩種常見解釋方向：

1.晶體管中的反向傳輸因數

在晶體管參數中，反向傳輸因數通常指器件在反向工作模式下，輸出端對輸入端的信號傳遞能力。例如：

場效應晶體管（FET）：可能指栅極-源極電壓對漏極電流的影響，常用跨導（( g{os} )）或反向傳輸導納表示，公式為： $$ g{os} = left. frac{partial ID}{partial V{GS}} right|{V{DS}} $$
雙極型晶體管（BJT）：可能指反向電流放大系數（如反向β值），即發射極作為集電極時的電流傳輸效率。

2.二端口網絡中的反向傳輸因數

在電路分析中，二端口網絡的混合參數（h參數）中，( h{12} ) 被稱為“反向電壓傳輸比”，定義為： $$ h{12} = left. frac{V_1}{V2} right|{I_1=0} $$ 它表示輸出端電壓對輸入端電壓的反饋影響，常用于分析放大器的穩定性或隔離度。

常見應用場景

反饋電路設計：反向傳輸因數用于評估反饋路徑對系統的影響。
器件建模：在SPICE模型等仿真工具中，反向參數是器件特性建模的重要部分。
高頻電路分析：涉及反向傳輸的電容或導納參數（如( C_{gd} )）。

若您有具體的上下文（如器件型號、電路類型），可進一步提供信息以獲取更精準的解釋。