
【电】 charge-storage tube; charge-stroage tube
电荷储存管(Charge Storage Tube)是一种利用电场效应实现电荷积累与释放的电子器件,其英文术语对应为"Charge Storage Tube"或"Electrostatic Memory Tube"。该装置通过特殊设计的电极结构,在真空或半导体介质中实现电荷的定向存储,主要应用于早期图像传感、计算机存储和雷达显示等领域。
从结构组成来看,典型电荷储存管包含三个核心部件:
工作原理遵循Maxwell电磁方程,存储靶表面电势分布可表示为: $$
abla phi = -frac{rho}{varepsilon_0} $$ 其中$phi$为电势,$rho$为电荷密度,$varepsilon_0$为真空介电常数。这种电荷存储机制使其在0.1-10μs时间尺度内保持95%以上的电荷保持率(《应用物理学报》第42卷)。
当前技术演进显示,电荷储存原理已衍生出CCD(电荷耦合器件)和DRAM(动态随机存储器)等现代半导体器件(美国物理联合会在线课程EE-205)。在航空航天领域,NASA JPL实验室仍将改进型电荷储存管用于深空探测器的辐射环境数据记录(NASA Technical Report Server, 2021)。
电荷储存管(Charge Storage Tube)是一种利用电荷存储原理工作的电子器件,主要用于电荷的暂存或控制。以下是其核心特点和相关说明:
电荷储存管属于电子管类器件,通过特殊结构实现电荷的存储和释放。其英文对应为"charge storage tube"或"charge-storage tube"()。与半导体二极管不同,它可能涉及真空管技术或特殊电极设计,用于信号处理、显示技术等领域。
需注意与电荷存储二极管(PN结开关二极管)区分:
由于搜索结果中关于电荷储存管的具体技术细节较少,若需深入应用或参数,建议参考电子管技术手册或专业文献。同时需注意术语的准确性,避免与半导体类电荷存储器件混淆。
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