
【電】 charge-storage tube; charge-stroage tube
電荷儲存管(Charge Storage Tube)是一種利用電場效應實現電荷積累與釋放的電子器件,其英文術語對應為"Charge Storage Tube"或"Electrostatic Memory Tube"。該裝置通過特殊設計的電極結構,在真空或半導體介質中實現電荷的定向存儲,主要應用于早期圖像傳感、計算機存儲和雷達顯示等領域。
從結構組成來看,典型電荷儲存管包含三個核心部件:
工作原理遵循Maxwell電磁方程,存儲靶表面電勢分布可表示為: $$
abla phi = -frac{rho}{varepsilon_0} $$ 其中$phi$為電勢,$rho$為電荷密度,$varepsilon_0$為真空介電常數。這種電荷存儲機制使其在0.1-10μs時間尺度内保持95%以上的電荷保持率(《應用物理學報》第42卷)。
當前技術演進顯示,電荷儲存原理已衍生出CCD(電荷耦合器件)和DRAM(動态隨機存儲器)等現代半導體器件(美國物理聯合會線上課程EE-205)。在航空航天領域,NASA JPL實驗室仍将改進型電荷儲存管用于深空探測器的輻射環境數據記錄(NASA Technical Report Server, 2021)。
電荷儲存管(Charge Storage Tube)是一種利用電荷存儲原理工作的電子器件,主要用于電荷的暫存或控制。以下是其核心特點和相關說明:
電荷儲存管屬于電子管類器件,通過特殊結構實現電荷的存儲和釋放。其英文對應為"charge storage tube"或"charge-storage tube"()。與半導體二極管不同,它可能涉及真空管技術或特殊電極設計,用于信號處理、顯示技術等領域。
需注意與電荷存儲二極管(PN結開關二極管)區分:
由于搜索結果中關于電荷儲存管的具體技術細節較少,若需深入應用或參數,建議參考電子管技術手冊或專業文獻。同時需注意術語的準确性,避免與半導體類電荷存儲器件混淆。
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