半导体参数英文解释翻译、半导体参数的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 semiconductor parameter

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

parameter
【计】 argument
【医】 parameter
【经】 parameter

半导体参数是电子工程领域中描述材料特性与器件性能的核心指标集合，主要包含以下关键术语及定义：

电导率（Conductivity）
表示材料传导电流的能力，单位为西门子/米（S/m）。半导体电导率介于导体与绝缘体之间，可通过掺杂调节。
载流子浓度（Carrier Concentration）
指单位体积内自由电子（n型）或空穴（p型）的数量，单位cm⁻³。本征硅的载流子浓度约1.5×10¹⁰ cm⁻³。
迁移率（Mobility）
载流子在电场作用下的平均漂移速度，单位cm²/(V·s)。硅中电子迁移率约1500 cm²/(V·s)，空穴迁移率约450 cm²/(V·s)。
禁带宽度（Bandgap）
价带顶与导带底之间的能量差，单位电子伏特（eV）。300K时硅的禁带宽度为1.12eV。
击穿电压（Breakdown Voltage）
器件发生雪崩击穿时的临界电压值，直接影响功率器件耐压能力。
阈值电压（Threshold Voltage）
MOSFET开始形成导电沟道所需的最小栅极电压，典型值0.3-1V。

半导体参数是描述半导体材料特性的关键指标，主要涉及电学、结构和能带特性。以下是核心参数的详细解释：

半导体参数共同决定了材料在电子器件中的应用场景，例如禁带宽度影响耐高温性，载流子类型决定PN结特性。如需更完整的参数列表，可参考材料科学相关文献或专业数据库。