半導體參數英文解釋翻譯、半導體參數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor parameter

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

parameter
【計】 argument
【醫】 parameter
【經】 parameter

半導體參數是電子工程領域中描述材料特性與器件性能的核心指标集合，主要包含以下關鍵術語及定義：

電導率（Conductivity）
表示材料傳導電流的能力，單位為西門子/米（S/m）。半導體電導率介于導體與絕緣體之間，可通過摻雜調節。
載流子濃度（Carrier Concentration）
指單位體積内自由電子（n型）或空穴（p型）的數量，單位cm⁻³。本征矽的載流子濃度約1.5×10¹⁰ cm⁻³。
遷移率（Mobility）
載流子在電場作用下的平均漂移速度，單位cm²/(V·s)。矽中電子遷移率約1500 cm²/(V·s)，空穴遷移率約450 cm²/(V·s)。
禁帶寬度（Bandgap）
價帶頂與導帶底之間的能量差，單位電子伏特（eV）。300K時矽的禁帶寬度為1.12eV。
擊穿電壓（Breakdown Voltage）
器件發生雪崩擊穿時的臨界電壓值，直接影響功率器件耐壓能力。
阈值電壓（Threshold Voltage）
MOSFET開始形成導電溝道所需的最小栅極電壓，典型值0.3-1V。

半導體參數是描述半導體材料特性的關鍵指标，主要涉及電學、結構和能帶特性。以下是核心參數的詳細解釋：

半導體參數共同決定了材料在電子器件中的應用場景，例如禁帶寬度影響耐高溫性，載流子類型決定PN結特性。如需更完整的參數列表，可參考材料科學相關文獻或專業數據庫。