动态随机存取内存英文解释翻译、动态随机存取内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 dynamic random-access memory

分词翻译：

动态的英语翻译：

dynamic; dynamic state; trends
【经】 movement

随机存取内存的英语翻译：

RAM
【电】 random access memory

专业解析

动态随机存取内存（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是计算机系统中用于临时存储数据和程序指令的关键半导体存储器。其核心特征与工作原理如下：

一、核心定义与工作原理

动态刷新机制
DRAM 利用电容存储电荷表示二进制数据（1/0）。由于电容会自然放电，需要周期性刷新（Refresh）以维持数据，通常每64ms刷新数千次。这与静态随机存取内存（SRAM）的触发器结构形成对比，后者无需刷新但成本更高、密度更低。
存取结构
数据通过行地址（Row Address）和列地址（Column Address）分步定位。读取时，整行数据会被复制到行缓冲器（Row Buffer），再输出目标列，此过程导致较SRAM更高的延迟。

二、技术特性与性能参数

密度与成本
单DRAM存储单元仅需1个晶体管+1个电容（1T1C），单元面积远小于SRAM（6晶体管），因此单位容量成本更低，适用于大容量主内存（如DDR5模块可达64GB）。
速度与带宽
现代DRAM采用双倍数据速率（DDR）技术，通过上升沿/下降沿同步传输数据。以DDR5为例，传输速率可达6.4Gbps，带宽提升至51.2GB/s（单通道）。
功耗管理
自刷新（Self-Refresh）模式可在待机时降低功耗，而温度补偿刷新（TCR）技术则根据芯片温度动态调整刷新频率，减少能耗。

三、应用场景与发展

计算机主内存
作为CPU直接访问的工作内存（如DIMM模块），承担操作系统、应用程序的实时数据加载任务。其大容量特性支撑多任务处理与复杂计算需求。
演进技术
- GDDR（Graphics DRAM）：高带宽设计，专用于显卡显存（如GDDR6X带宽达1TB/s）。
- LPDDR（Low Power DRAM）：移动设备优化，功耗降低30-50%（如LPDDR5X）。
- HBM（High Bandwidth Memory）：3D堆叠结构，通过硅通孔（TSV）互联，带宽突破256GB/s，用于AI加速卡。

四、行业标准与参考来源

JEDEC标准：主导DRAM技术规范（如DDR5/JESD79-5），定义电气特性与时序参数。
（来源：JEDEC固态技术协会官网 [jedec.org]）

IEEE文献：深入分析DRAM电路设计，如电容漏电补偿技术（IEEE Transactions on Electron Devices）。
厂商技术白皮书：美光（Micron）、三星等发布DDR5/LPDDR5性能报告（官网公开文档）。

关键术语汉英对照

中文	英文	缩写
动态随机存取内存	Dynamic Random Access Memory	DRAM
刷新周期	Refresh Cycle	—
行地址选通脉冲	Row Address Strobe	RAS
列地址选通脉冲	Column Address Strobe	CAS
双倍数据速率	Double Data Rate	DDR

网络扩展解释

动态随机存取内存（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常见的半导体存储器，其核心特点与工作原理可归纳如下：

1.基本定义与原理

DRAM通过电容存储电荷来表示二进制数据（1或0），每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。由于电容会自然漏电，电荷随时间衰减，必须通过周期性刷新（通常每几毫秒一次）来维持数据完整性，这也是“动态”名称的由来。

2.核心特性

易失性：断电后数据立即丢失，属于临时存储设备。
高密度低成本：相比静态内存（SRAM），DRAM结构简单，集成度高，成本更低，适合作为计算机主存。
速度与功耗：读写速度较SRAM慢，且刷新操作会消耗额外电能。

3.应用领域

DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备及高性能计算领域，主要承担运行中程序和数据的临时存储任务。

4.技术实现细节

存储单元结构：利用MOS管栅极电容存储电荷，电容电压高低对应二进制值。
刷新机制：通过外部电路定时对电容充电，防止电荷流失导致数据错误。

5.与其他存储器的对比

与SRAM：DRAM密度高、成本低，但需刷新且速度慢；SRAM速度快、无需刷新，但价格昂贵，多用于高速缓存。
与闪存：DRAM易失，适合临时存储；闪存非易失，适合长期保存数据。

如需更深入的技术规范（如DDR4标准下的低温功耗优化），可参考具体行业资料。