動态隨機存取内存英文解釋翻譯、動态隨機存取内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 dynamic random-access memory

分詞翻譯：

動态的英語翻譯：

dynamic; dynamic state; trends
【經】 movement

隨機存取内存的英語翻譯：

RAM
【電】 random access memory

專業解析

動态隨機存取内存（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是計算機系統中用于臨時存儲數據和程式指令的關鍵半導體存儲器。其核心特征與工作原理如下：

一、核心定義與工作原理

動态刷新機制
DRAM 利用電容存儲電荷表示二進制數據（1/0）。由于電容會自然放電，需要周期性刷新（Refresh）以維持數據，通常每64ms刷新數千次。這與靜态隨機存取内存（SRAM）的觸發器結構形成對比，後者無需刷新但成本更高、密度更低。
存取結構
數據通過行地址（Row Address）和列地址（Column Address）分步定位。讀取時，整行數據會被複制到行緩沖器（Row Buffer），再輸出目标列，此過程導緻較SRAM更高的延遲。

二、技術特性與性能參數

密度與成本
單DRAM存儲單元僅需1個晶體管+1個電容（1T1C），單元面積遠小于SRAM（6晶體管），因此單位容量成本更低，適用于大容量主内存（如DDR5模塊可達64GB）。
速度與帶寬
現代DRAM采用雙倍數據速率（DDR）技術，通過上升沿/下降沿同步傳輸數據。以DDR5為例，傳輸速率可達6.4Gbps，帶寬提升至51.2GB/s（單通道）。
功耗管理
自刷新（Self-Refresh）模式可在待機時降低功耗，而溫度補償刷新（TCR）技術則根據芯片溫度動态調整刷新頻率，減少能耗。

三、應用場景與發展

計算機主内存
作為CPU直接訪問的工作内存（如DIMM模塊），承擔操作系統、應用程式的實時數據加載任務。其大容量特性支撐多任務處理與複雜計算需求。
演進技術
- GDDR（Graphics DRAM）：高帶寬設計，專用于顯卡顯存（如GDDR6X帶寬達1TB/s）。
- LPDDR（Low Power DRAM）：移動設備優化，功耗降低30-50%（如LPDDR5X）。
- HBM（High Bandwidth Memory）：3D堆疊結構，通過矽通孔（TSV）互聯，帶寬突破256GB/s，用于AI加速卡。

四、行業标準與參考來源

JEDEC标準：主導DRAM技術規範（如DDR5/JESD79-5），定義電氣特性與時序參數。
（來源：JEDEC固态技術協會官網 [jedec.org]）

IEEE文獻：深入分析DRAM電路設計，如電容漏電補償技術（IEEE Transactions on Electron Devices）。
廠商技術白皮書：美光（Micron）、三星等發布DDR5/LPDDR5性能報告（官網公開文檔）。

關鍵術語漢英對照

中文	英文	縮寫
動态隨機存取内存	Dynamic Random Access Memory	DRAM
刷新周期	Refresh Cycle	—
行地址選通脈沖	Row Address Strobe	RAS
列地址選通脈沖	Column Address Strobe	CAS
雙倍數據速率	Double Data Rate	DDR

網絡擴展解釋

動态隨機存取内存（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種常見的半導體存儲器，其核心特點與工作原理可歸納如下：

1.基本定義與原理

DRAM通過電容存儲電荷來表示二進制數據（1或0），每個存儲單元由一個晶體管和一個電容組成。由于電容會自然漏電，電荷隨時間衰減，必須通過周期性刷新（通常每幾毫秒一次）來維持數據完整性，這也是“動态”名稱的由來。

2.核心特性

易失性：斷電後數據立即丢失，屬于臨時存儲設備。
高密度低成本：相比靜态内存（SRAM），DRAM結構簡單，集成度高，成本更低，適合作為計算機主存。
速度與功耗：讀寫速度較SRAM慢，且刷新操作會消耗額外電能。

3.應用領域

DRAM廣泛應用于個人電腦、服務器、移動設備及高性能計算領域，主要承擔運行中程式和數據的臨時存儲任務。

4.技術實現細節

存儲單元結構：利用MOS管栅極電容存儲電荷，電容電壓高低對應二進制值。
刷新機制：通過外部電路定時對電容充電，防止電荷流失導緻數據錯誤。

5.與其他存儲器的對比

與SRAM：DRAM密度高、成本低，但需刷新且速度慢；SRAM速度快、無需刷新，但價格昂貴，多用于高速緩存。
與閃存：DRAM易失，適合臨時存儲；閃存非易失，適合長期保存數據。

如需更深入的技術規範（如DDR4标準下的低溫功耗優化），可參考具體行業資料。