欧姆接触英文解释翻译、欧姆接触的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 ohmic contact

分词翻译：

欧姆的英语翻译：

ohm
【化】 ohm

接触的英语翻译：

contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【医】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch

专业解析

欧姆接触（Ohmic Contact）是半导体器件中的关键概念，指金属电极与半导体材料之间形成的理想非整流型电学连接。其核心特征是在接触界面处不存在显著势垒，电流-电压（I-V）特性呈线性关系，且接触电阻极小，满足欧姆定律（$V=IR$）。以下是详细解释：

一、定义与特性

电学特性
欧姆接触的电流与外加电压成正比，I-V曲线为线性且双向对称，无整流效应（与肖特基接触相反）。接触电阻（$R_c$）是核心参数，理想值趋近于零，实际应用中要求足够低以避免功率损耗和信号失真。
物理机制
通过重掺杂半导体或特定金属-半导体组合降低势垒高度。当半导体掺杂浓度极高时，耗尽区宽度变窄，载流子可通过量子隧穿效应穿越势垒，形成欧姆输运。

二、关键技术要求

低接触电阻率（单位：Ω·cm²）：衡量电流通过界面的效率，先进工艺中需低于$10^{-7}$ Ω·cm²。
热稳定性：在高温工艺或工作环境下保持性能稳定。
界面平整度：减少界面缺陷，避免载流子散射。

三、典型应用场景

集成电路：CMOS晶体管的源/漏电极接触。
光电器件：LED和太阳能电池的电流收集层。
功率器件：降低IGBT、MOSFET的导通损耗。

四、实现方法

合金化工艺：如硅器件中采用Al-Si合金，通过退火形成混合界面层。
金属叠层设计：例如Ti/Pt/Au结构，Ti与半导体反应形成低阻化合物（如TiSi₂）。
掺杂梯度层：在界面处制备高浓度掺杂区（>10¹⁹ cm⁻³）增强隧穿效应。

权威参考来源：

网络扩展解释

基于权威资料，以下是关于欧姆接触的详细解释：

定义与核心特性

欧姆接触是金属与半导体之间的一种接触方式，其核心特征是电流-电压（I-V）特性呈线性且对称，接触电阻极低，几乎不引入额外功耗。这种接触使得器件工作时，电压主要降在半导体活动区（Active region），而非接触界面，从而保障电流高效传输。

与肖特基接触的区别

欧姆接触：I-V曲线为直线，电阻极小，无整流效应。
肖特基接触：I-V曲线非线性，存在势垒（肖特基势垒），具有整流特性。

形成条件

低界面能障：金属与半导体的功函数需匹配，降低界面势垒，减少载流子注入的热激发阻力。
高浓度掺杂：半导体需掺杂高浓度杂质（如N⁺或P⁺，浓度≥10¹² cm⁻³），使界面耗尽区变窄，促进载流子隧穿效应。

制备工艺

金属选择：常用溅镀或蒸镀金属（如铝、金）并通过光刻工艺布局。
退火处理：通过加热使金属与半导体界面原子扩散，降低接触电阻并增强稳定性。
特殊结构：对宽禁带半导体（如GaAs），需采用Metal-n⁺-n或Metal-p⁺-p结构以实现低阻接触。

应用价值

提升效率：减少能量在接触界面的损耗和发热。
增强可靠性：避免肖特基势垒的非线性效应，保障集成电路性能稳定。

若需进一步了解工艺细节或具体案例，可参考相关半导体器件制造文献。