歐姆接觸英文解釋翻譯、歐姆接觸的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 ohmic contact

分詞翻譯：

歐姆的英語翻譯：

ohm
【化】 ohm

接觸的英語翻譯：

contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【醫】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch

專業解析

歐姆接觸（Ohmic Contact）是半導體器件中的關鍵概念，指金屬電極與半導體材料之間形成的理想非整流型電學連接。其核心特征是在接觸界面處不存在顯著勢壘，電流-電壓（I-V）特性呈線性關系，且接觸電阻極小，滿足歐姆定律（$V=IR$）。以下是詳細解釋：

一、定義與特性

電學特性
歐姆接觸的電流與外加電壓成正比，I-V曲線為線性且雙向對稱，無整流效應（與肖特基接觸相反）。接觸電阻（$R_c$）是核心參數，理想值趨近于零，實際應用中要求足夠低以避免功率損耗和信號失真。
物理機制
通過重摻雜半導體或特定金屬-半導體組合降低勢壘高度。當半導體摻雜濃度極高時，耗盡區寬度變窄，載流子可通過量子隧穿效應穿越勢壘，形成歐姆輸運。

二、關鍵技術要求

低接觸電阻率（單位：Ω·cm²）：衡量電流通過界面的效率，先進工藝中需低于$10^{-7}$ Ω·cm²。
熱穩定性：在高溫工藝或工作環境下保持性能穩定。
界面平整度：減少界面缺陷，避免載流子散射。

三、典型應用場景

集成電路：CMOS晶體管的源/漏電極接觸。
光電器件：LED和太陽能電池的電流收集層。
功率器件：降低IGBT、MOSFET的導通損耗。

四、實現方法

合金化工藝：如矽器件中采用Al-Si合金，通過退火形成混合界面層。
金屬疊層設計：例如Ti/Pt/Au結構，Ti與半導體反應形成低阻化合物（如TiSi₂）。
摻雜梯度層：在界面處制備高濃度摻雜區（>10¹⁹ cm⁻³）增強隧穿效應。

權威參考來源：

網絡擴展解釋

基于權威資料，以下是關于歐姆接觸的詳細解釋：

定義與核心特性

歐姆接觸是金屬與半導體之間的一種接觸方式，其核心特征是電流-電壓（I-V）特性呈線性且對稱，接觸電阻極低，幾乎不引入額外功耗。這種接觸使得器件工作時，電壓主要降在半導體活動區（Active region），而非接觸界面，從而保障電流高效傳輸。

與肖特基接觸的區别

歐姆接觸：I-V曲線為直線，電阻極小，無整流效應。
肖特基接觸：I-V曲線非線性，存在勢壘（肖特基勢壘），具有整流特性。

形成條件

低界面能障：金屬與半導體的功函數需匹配，降低界面勢壘，減少載流子注入的熱激發阻力。
高濃度摻雜：半導體需摻雜高濃度雜質（如N⁺或P⁺，濃度≥10¹² cm⁻³），使界面耗盡區變窄，促進載流子隧穿效應。

制備工藝

金屬選擇：常用濺鍍或蒸鍍金屬（如鋁、金）并通過光刻工藝布局。
退火處理：通過加熱使金屬與半導體界面原子擴散，降低接觸電阻并增強穩定性。
特殊結構：對寬禁帶半導體（如GaAs），需采用Metal-n⁺-n或Metal-p⁺-p結構以實現低阻接觸。

應用價值

提升效率：減少能量在接觸界面的損耗和發熱。
增強可靠性：避免肖特基勢壘的非線性效應，保障集成電路性能穩定。

若需進一步了解工藝細節或具體案例，可參考相關半導體器件制造文獻。