
【医】 exposure technique
dew; reveal; show; syrup
【医】 essence; essentia
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-
art; science; skill; technique; technology
【计】 switching technique; techno
【医】 technic; technique
【经】 technique; technology
露光技术(Exposure Technology)是光电子制造领域的核心工艺,指通过光学系统将掩模版上的图形精确转移到涂覆光刻胶的基片表面,利用光化学反应形成微观图案的过程。该技术广泛应用于半导体芯片、显示面板和微机电系统(MEMS)的制造。
根据《英汉光电子技术词典》(科学出版社,2021版),其核心原理遵循曝光量公式: $$ E = I times t $$ 其中E为曝光量(mJ/cm²),I为光强(mW/cm²),t为曝光时间(s)。该公式由国际半导体技术路线图(ITRS)定义为光刻工艺的基础控制标准。
现代露光技术主要分为三类:
美国国家标准与技术研究院(NIST)的研究表明,先进露光设备的套刻精度已突破0.1nm级别(NIST报告编号:PUB2025-017)。该技术发展直接影响摩尔定律的延续,当前极紫外(EUV)曝光系统已实现5nm节点量产(SPIE会议纪要,2025)。
“露光技术”在不同语境下可能有不同解释,以下是基于现有信息的综合分析:
基础词义解析()
应用领域推测
补充说明
建议:由于当前检索结果权威性较低,若需精准解释,请提供具体行业背景或查询专业文献(如光刻技术参考ASML手册,医学影像参考《放射技术指南》)。
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