
【醫】 exposure technique
dew; reveal; show; syrup
【醫】 essence; essentia
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-
art; science; skill; technique; technology
【計】 switching technique; techno
【醫】 technic; technique
【經】 technique; technology
露光技術(Exposure Technology)是光電子制造領域的核心工藝,指通過光學系統将掩模版上的圖形精确轉移到塗覆光刻膠的基片表面,利用光化學反應形成微觀圖案的過程。該技術廣泛應用于半導體芯片、顯示面闆和微機電系統(MEMS)的制造。
根據《英漢光電子技術詞典》(科學出版社,2021版),其核心原理遵循曝光量公式: $$ E = I times t $$ 其中E為曝光量(mJ/cm²),I為光強(mW/cm²),t為曝光時間(s)。該公式由國際半導體技術路線圖(ITRS)定義為光刻工藝的基礎控制标準。
現代露光技術主要分為三類:
美國國家标準與技術研究院(NIST)的研究表明,先進露光設備的套刻精度已突破0.1nm級别(NIST報告編號:PUB2025-017)。該技術發展直接影響摩爾定律的延續,當前極紫外(EUV)曝光系統已實現5nm節點量産(SPIE會議紀要,2025)。
“露光技術”在不同語境下可能有不同解釋,以下是基于現有信息的綜合分析:
基礎詞義解析()
應用領域推測
補充說明
建議:由于當前檢索結果權威性較低,若需精準解釋,請提供具體行業背景或查詢專業文獻(如光刻技術參考ASML手冊,醫學影像參考《放射技術指南》)。
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