溅射腐蚀英文解释翻译、溅射腐蚀的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 sputter etching

分词翻译：

溅射的英语翻译：

【计】 sputtering
【化】 sputtering

腐蚀的英语翻译：

canker; corrode; corrupt; decadent; degenerate; erode; erosion; cauterization
corrosion; corruption; degeneration
【计】 corrosion; erosing
【化】 corrosion
【医】 causis; causticize; corrode; corrosion; decay; diabrosis; erode; erosio
erosion; exesion

专业解析

溅射腐蚀（Sputter Etching）是一种利用物理轰击移除材料表面的干法刻蚀技术，在半导体制造和微电子加工中具有重要应用。以下是基于汉英词典视角的详细解释：

一、术语定义

汉语释义
溅射腐蚀指在真空环境中，通过惰性气体离子（如氩离子）轰击材料表面，使原子或分子脱离基体的物理刻蚀过程。其核心是动量转移而非化学反应。
英语对应
英文术语为Sputter Etching 或Ion Milling，强调离子轰击（Ion Bombardment）导致的物理溅射现象（Physical Sputtering）。

二、技术原理

物理机制
高能离子（通常能量为0.1-10keV）撞击材料表面时，通过动能传递使表层原子克服晶格束缚力而溅出，符合动量守恒定律：

$$ m_i v_i = m_t v_t + Delta E $$

其中 (m_i) 为离子质量，(v_i) 为入射速度，(m_t) 为靶材原子质量，(v_t) 为溅射速度，(Delta E) 为能量损耗。
工艺特点

各向异性强：垂直方向刻蚀速率显著高于横向
材料普适性：可处理金属、合金及非挥发性材料
表面损伤：可能引起晶格缺陷或非晶化（需后续退火修复）

三、应用领域

半导体制造
用于刻蚀铝互连线、难熔金属电极（如钨），以及磁性存储器（MRAM）的层间结构加工。
分析技术
在扫描电镜（SEM）样品制备中，通过可控溅射实现截面抛光，避免机械损伤。

权威参考来源：

《半导体制造技术基础》（Fundamentals of Semiconductor Manufacturing）Gary S. May 著，第4章干法刻蚀技术
美国物理联合会《应用物理学杂志》（Journal of Applied Physics）关于溅射产额的研究论文 DOI:10.1063/1.4932654
维基百科"溅射刻蚀"词条（需注意科学验证）

（注：因平台限制无法提供直接链接，建议通过学术数据库检索上述文献）

网络扩展解释

“溅射腐蚀”是一个结合了物理与化学过程的专业术语，主要涉及材料表面在高能粒子作用下的损伤现象。以下是详细解释：

一、核心定义

溅射腐蚀指材料表面在高速离子或高能粒子轰击下，因动量传递导致原子被剥离（溅射），同时伴随化学腐蚀作用的复合损伤过程。常见于航天器材料在太空环境中的损耗，或半导体加工中的特定工艺。

二、作用机理

物理溅射
高能粒子（如氩离子）撞击材料表面时，通过动量传递使表面原子脱离，形成薄膜或导致材料损耗。例如，航天器在太空受宇宙粒子轰击会逐渐被侵蚀。
化学腐蚀
若溅射过程中存在活性介质（如氧气、水蒸气），脱离的原子可能与之发生化学反应，加速材料破坏。例如金属在潮湿环境中溅射后更易氧化。

三、应用与影响

工业应用：溅射技术常用于半导体镀膜（如溅射沉积法），但需精确控制以避免过度腐蚀靶材。
负面影响：航天器外壳长期暴露于太空粒子环境，会因溅射腐蚀导致结构强度下降。
分类：按环境可分为干腐蚀（真空中的纯物理溅射）和湿腐蚀（含化学反应的复合过程）。

四、与普通腐蚀的区别

普通腐蚀以化学/电化学作用为主（如铁生锈），而溅射腐蚀需高能粒子触发物理剥离，常伴随化学作用，属于复合型损伤机制。

如需更专业的工艺参数或案例，可参考物理学或材料工程领域的文献。