濺射腐蝕英文解釋翻譯、濺射腐蝕的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 sputter etching

分詞翻譯：

濺射的英語翻譯：

【計】 sputtering
【化】 sputtering

腐蝕的英語翻譯：

canker; corrode; corrupt; decadent; degenerate; erode; erosion; cauterization
corrosion; corruption; degeneration
【計】 corrosion; erosing
【化】 corrosion
【醫】 causis; causticize; corrode; corrosion; decay; diabrosis; erode; erosio
erosion; exesion

專業解析

濺射腐蝕（Sputter Etching）是一種利用物理轟擊移除材料表面的幹法刻蝕技術，在半導體制造和微電子加工中具有重要應用。以下是基于漢英詞典視角的詳細解釋：

一、術語定義

漢語釋義
濺射腐蝕指在真空環境中，通過惰性氣體離子（如氩離子）轟擊材料表面，使原子或分子脫離基體的物理刻蝕過程。其核心是動量轉移而非化學反應。
英語對應
英文術語為Sputter Etching 或Ion Milling，強調離子轟擊（Ion Bombardment）導緻的物理濺射現象（Physical Sputtering）。

二、技術原理

物理機制
高能離子（通常能量為0.1-10keV）撞擊材料表面時，通過動能傳遞使表層原子克服晶格束縛力而濺出，符合動量守恒定律：

$$ m_i v_i = m_t v_t + Delta E $$

其中 (m_i) 為離子質量，(v_i) 為入射速度，(m_t) 為靶材原子質量，(v_t) 為濺射速度，(Delta E) 為能量損耗。
工藝特點

各向異性強：垂直方向刻蝕速率顯著高于橫向
材料普適性：可處理金屬、合金及非揮發性材料
表面損傷：可能引起晶格缺陷或非晶化（需後續退火修複）

三、應用領域

半導體制造
用于刻蝕鋁互連線、難熔金屬電極（如鎢），以及磁性存儲器（MRAM）的層間結構加工。
分析技術
在掃描電鏡（SEM）樣品制備中，通過可控濺射實現截面抛光，避免機械損傷。

權威參考來源：

《半導體制造技術基礎》（Fundamentals of Semiconductor Manufacturing）Gary S. May 著，第4章幹法刻蝕技術
美國物理聯合會《應用物理學雜志》（Journal of Applied Physics）關于濺射産額的研究論文 DOI:10.1063/1.4932654
維基百科"濺射刻蝕"詞條（需注意科學驗證）

（注：因平台限制無法提供直接鍊接，建議通過學術數據庫檢索上述文獻）

網絡擴展解釋

“濺射腐蝕”是一個結合了物理與化學過程的專業術語，主要涉及材料表面在高能粒子作用下的損傷現象。以下是詳細解釋：

一、核心定義

濺射腐蝕指材料表面在高速離子或高能粒子轟擊下，因動量傳遞導緻原子被剝離（濺射），同時伴隨化學腐蝕作用的複合損傷過程。常見于航天器材料在太空環境中的損耗，或半導體加工中的特定工藝。

二、作用機理

物理濺射
高能粒子（如氩離子）撞擊材料表面時，通過動量傳遞使表面原子脫離，形成薄膜或導緻材料損耗。例如，航天器在太空受宇宙粒子轟擊會逐漸被侵蝕。
化學腐蝕
若濺射過程中存在活性介質（如氧氣、水蒸氣），脫離的原子可能與之發生化學反應，加速材料破壞。例如金屬在潮濕環境中濺射後更易氧化。

三、應用與影響

工業應用：濺射技術常用于半導體鍍膜（如濺射沉積法），但需精确控制以避免過度腐蝕靶材。
負面影響：航天器外殼長期暴露于太空粒子環境，會因濺射腐蝕導緻結構強度下降。
分類：按環境可分為幹腐蝕（真空中的純物理濺射）和濕腐蝕（含化學反應的複合過程）。

四、與普通腐蝕的區别

普通腐蝕以化學/電化學作用為主（如鐵生鏽），而濺射腐蝕需高能粒子觸發物理剝離，常伴隨化學作用，屬于複合型損傷機制。

如需更專業的工藝參數或案例，可參考物理學或材料工程領域的文獻。