金属氮化硅氧化硅半导体存储器英文解释翻译、金属氮化硅氧化硅半导体存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 metal-nitride-oxide-semiconductor memory; MNOS memory

分词翻译：

金属的英语翻译：

metal
【化】 metal
【医】 metal
【经】 metal

氮化硅的英语翻译：

【化】 silicon nitride

氧化硅的英语翻译：

【化】 monox

半导体存储器的英语翻译：

【计】 semi-conductor memory; semiconductor memory; semiconductor storage
solid state storage

专业解析

金属氮化硅氧化硅半导体存储器（Metal-Silicon Nitride-Silicon Oxide-Semiconductor Memory）是一种基于多层介质结构的非易失性存储器件。其核心结构由金属层、氮化硅（Si₃N₄）电荷陷阱层、氧化硅（SiO₂）隧穿层及半导体衬底组成，通过电荷捕获机制实现数据存储。该技术结合了传统浮栅存储器和新型电荷陷阱存储器的优势，具有高密度、低功耗和抗辐射特性。

金属电极（Metal Gate）
作为顶层导电材料，金属电极（如钨或铝）用于形成电场控制通道，影响电荷注入效率。金属材料的选择直接影响器件的可靠性和读写速度。
氮化硅电荷陷阱层（Si₃N₄ Charge Trap Layer）
氮化硅层通过捕获电子或空穴实现数据存储，其化学稳定性优于传统多晶硅浮栅层。电荷保持能力可达10年以上，适用于长期数据保存需求（来源：IEEE Electron Device Letters）。
氧化硅隧穿层（SiO₂ Tunneling Oxide）
厚度约3-5纳米的氧化硅层作为电荷隧穿介质，其质量决定擦写次数和操作电压。超薄氧化硅可支持10⁵次以上的擦写循环（来源：《半导体器件物理与工艺》）。
半导体衬底（Semiconductor Substrate）
通常采用p型硅衬底，通过掺杂工艺形成源极和漏极，与介质层共同构成存储单元的基础物理结构。三维堆叠版本可进一步提升存储密度（来源：Nature Electronics）。

网络扩展解释

“金属氮化硅氧化硅半导体存储器”是一种特殊结构的半导体存储器，其名称来源于器件中使用的材料层级结构。以下是分点解释：

术语结构解析
- 金属（Metal）：通常指栅极材料，例如铝或铜，用于控制电荷的注入和读取。
- 氮化硅（Si₃N₄）：作为电荷存储层，具有高介电常数和电荷保持能力。
- 氧化硅（SiO₂）：作为绝缘层，包裹氮化硅以隔离电荷，防止漏电。
技术特点
这种结构常见于非易失性存储器（如闪存），利用氮化硅层的电荷陷阱效应存储数据，即使断电也能保留信息。氧化硅层则提供绝缘保护，金属层用于电路连接。
应用场景
主要用于需要高密度、低功耗的存储设备，例如嵌入式系统或新型存储器技术（如SONOS结构存储器）。

该术语描述了一种通过金属-氮化硅-氧化硅多层结构实现电荷存储的半导体器件，结合了材料特性和电荷控制技术，属于非易失性存储器的一种实现方案。