金屬氮化矽氧化矽半導體存儲器英文解釋翻譯、金屬氮化矽氧化矽半導體存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 metal-nitride-oxide-semiconductor memory; MNOS memory

分詞翻譯：

金屬的英語翻譯：

metal
【化】 metal
【醫】 metal
【經】 metal

氮化矽的英語翻譯：

【化】 silicon nitride

氧化矽的英語翻譯：

【化】 monox

半導體存儲器的英語翻譯：

【計】 semi-conductor memory; semiconductor memory; semiconductor storage
solid state storage

專業解析

金屬氮化矽氧化矽半導體存儲器（Metal-Silicon Nitride-Silicon Oxide-Semiconductor Memory）是一種基于多層介質結構的非易失性存儲器件。其核心結構由金屬層、氮化矽（Si₃N₄）電荷陷阱層、氧化矽（SiO₂）隧穿層及半導體襯底組成，通過電荷捕獲機制實現數據存儲。該技術結合了傳統浮栅存儲器和新型電荷陷阱存儲器的優勢，具有高密度、低功耗和抗輻射特性。

金屬電極（Metal Gate）
作為頂層導電材料，金屬電極（如鎢或鋁）用于形成電場控制通道，影響電荷注入效率。金屬材料的選擇直接影響器件的可靠性和讀寫速度。
氮化矽電荷陷阱層（Si₃N₄ Charge Trap Layer）
氮化矽層通過捕獲電子或空穴實現數據存儲，其化學穩定性優于傳統多晶矽浮栅層。電荷保持能力可達10年以上，適用于長期數據保存需求（來源：IEEE Electron Device Letters）。
氧化矽隧穿層（SiO₂ Tunneling Oxide）
厚度約3-5納米的氧化矽層作為電荷隧穿介質，其質量決定擦寫次數和操作電壓。超薄氧化矽可支持10⁵次以上的擦寫循環（來源：《半導體器件物理與工藝》）。
半導體襯底（Semiconductor Substrate）
通常采用p型矽襯底，通過摻雜工藝形成源極和漏極，與介質層共同構成存儲單元的基礎物理結構。三維堆疊版本可進一步提升存儲密度（來源：Nature Electronics）。

網絡擴展解釋

“金屬氮化矽氧化矽半導體存儲器”是一種特殊結構的半導體存儲器，其名稱來源于器件中使用的材料層級結構。以下是分點解釋：

術語結構解析
- 金屬（Metal）：通常指栅極材料，例如鋁或銅，用于控制電荷的注入和讀取。
- 氮化矽（Si₃N₄）：作為電荷存儲層，具有高介電常數和電荷保持能力。
- 氧化矽（SiO₂）：作為絕緣層，包裹氮化矽以隔離電荷，防止漏電。
技術特點
這種結構常見于非易失性存儲器（如閃存），利用氮化矽層的電荷陷阱效應存儲數據，即使斷電也能保留信息。氧化矽層則提供絕緣保護，金屬層用于電路連接。
應用場景
主要用于需要高密度、低功耗的存儲設備，例如嵌入式系統或新型存儲器技術（如SONOS結構存儲器）。

該術語描述了一種通過金屬-氮化矽-氧化矽多層結構實現電荷存儲的半導體器件，結合了材料特性和電荷控制技術，屬于非易失性存儲器的一種實現方案。