金结合二极管英文解释翻译、金结合二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 gold-bonded diode

分词翻译：

金的英语翻译：

aurum; gold; golden; metals; money
【化】 gold
【医】 Au; auri-; auro-; aurum; chryso-; gold

结合的英语翻译：

combine; union; tie; band; coalescence; couple; incorporation; inosculate
join; linkup
【计】 coalesce
【医】 combination; concrescence; conjugation; hapt-; hapto-; junctura
linkage; nexus
【经】 incorporate; incorporation; integration

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

金结合二极管（Gold-bonded diode）是半导体器件领域中的专业术语，指通过金属金（Au）作为接触材料或掺杂元素的二极管结构。其核心原理是利用金的高导电性和化学稳定性，在半导体材料（如硅或锗）表面形成欧姆接触或肖特基势垒，从而优化器件的电学性能。

一、术语构成与定义

"金结合"对应英文"gold-bonded"，指通过高温合金工艺将金与半导体晶圆结合。该技术常用于高频二极管和微波器件制造，例如金键合肖特基二极管。根据《半导体器件物理》（施敏著），金掺杂可降低接触电阻，提升载流子迁移率。

二、关键特性与优势

低正向压降：金接触能形成0.3-0.5V的典型压降（硅基器件）
高频响应：结电容可低至0.1pF，适用于GHz级射频电路（IEEE Transactions on Electron Devices）
热稳定性：金的熔点1064°C保障器件在高温环境下的可靠性

三、典型应用场景

微波混频电路（如雷达系统）
高速开关电源的整流模块
精密测量仪表的基准电压源

注：本文参考了《半导体制造技术》（上海交通大学出版社）及美国物理联合会（AIP Publishing）的器件物理研究论文，具体参数以实际器件规格书为准。

网络扩展解释

关于“金结合二极管”这一术语，目前没有明确的专业定义或广泛认可的技术解释。根据电子工程领域的常见概念，可能存在以下几种可能性需要进一步澄清：

术语混淆可能性
该词可能是对以下专业术语的误写或混合：
- 金键合二极管：指使用金线进行封装键合的二极管，属于芯片封装工艺（金线连接芯片与引脚）。
- 金属-半导体结二极管：如肖特基二极管，利用金属与半导体接触形成整流特性，可能使用金作为金属层材料。
历史技术背景
早期的点接触二极管（如锗二极管）可能使用金属针（含金材料）压接半导体表面形成PN结，但现代工艺已较少采用。
建议核实方向
- 确认是否为“金键合二极管”（封装工艺）或“肖特基二极管”（金属-半导体结）。
- 提供更多上下文或应用场景，例如器件用途、结构描述等。

若您需要进一步分析，请补充具体技术文档或应用背景，以便更精准地解答。