
【電】 gold-bonded diode
aurum; gold; golden; metals; money
【化】 gold
【醫】 Au; auri-; auro-; aurum; chryso-; gold
combine; union; tie; band; coalescence; couple; incorporation; inosculate
join; linkup
【計】 coalesce
【醫】 combination; concrescence; conjugation; hapt-; hapto-; junctura
linkage; nexus
【經】 incorporate; incorporation; integration
diode
【化】 diode
金結合二極管(Gold-bonded diode)是半導體器件領域中的專業術語,指通過金屬金(Au)作為接觸材料或摻雜元素的二極管結構。其核心原理是利用金的高導電性和化學穩定性,在半導體材料(如矽或鍺)表面形成歐姆接觸或肖特基勢壘,從而優化器件的電學性能。
"金結合"對應英文"gold-bonded",指通過高溫合金工藝将金與半導體晶圓結合。該技術常用于高頻二極管和微波器件制造,例如金鍵合肖特基二極管。根據《半導體器件物理》(施敏著),金摻雜可降低接觸電阻,提升載流子遷移率。
注:本文參考了《半導體制造技術》(上海交通大學出版社)及美國物理聯合會(AIP Publishing)的器件物理研究論文,具體參數以實際器件規格書為準。
關于“金結合二極管”這一術語,目前沒有明确的專業定義或廣泛認可的技術解釋。根據電子工程領域的常見概念,可能存在以下幾種可能性需要進一步澄清:
術語混淆可能性
該詞可能是對以下專業術語的誤寫或混合:
曆史技術背景
早期的點接觸二極管(如鍺二極管)可能使用金屬針(含金材料)壓接半導體表面形成PN結,但現代工藝已較少采用。
建議核實方向
若您需要進一步分析,請補充具體技術文檔或應用背景,以便更精準地解答。
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