
【化】 forbidden band
ban; bear; imprison; prohibit; restain oneself; stand; taboo
belt; bring; strap; strip; take; wear
【计】 tape
【化】 band
【医】 balteum; band; belt; chord; chorda; chordae; chordo-; cingule; cingulum
cord; desmo-; girdle; ribbon; strap; strip; taenia; taenia-; taeniae
tape; teni-; tenia; zona; zone
【经】 belt
在汉英词典视角下,"禁带"作为专业术语的释义如下:
禁带 (jìn dài)
音标:/ˈbænd ɡæp/
词性:名词(物理学、电子工程学术语)
核心释义:
指固体材料(如半导体或绝缘体)中,电子无法存在的能量范围,介于价带顶与导带底之间。该能量区间禁止电子占据,故称"禁带"。其宽度(禁带宽度)直接决定材料的导电性质。
专业释义扩展:
固体物理学定义
在能带理论中,禁带是布里渊区内电子态密度为零的能量区域,源于晶体周期性势场中电子波的布拉格反射。
例:硅的禁带宽度为1.12 eV(300K),属间接带隙半导体。
电子工程应用
禁带宽度($E_g$)是半导体器件的核心参数:
公式:本征载流子浓度 $n_i propto T^{3/2}e^{-E_g/(2kT)}$
权威来源参考:
禁带(Forbidden Band)是固体物理学中的核心概念,指晶体中相邻能带之间电子无法占据的能量范围。以下是详细解释:
禁带是能带结构中能态密度为零的能量区间,通常位于价带(电子占据的最高能带)和导带(电子可自由移动的能带)之间。电子无法存在于这一能量范围内,因此称为“禁带”。
禁带宽度是半导体器件设计的关键参数,如太阳能电池、LED等需通过掺杂或材料选择调整禁带特性。测量方法包括光谱分析和电学测试。
$$ E_g = h u $$ 其中,$E_g$为禁带宽度,$h$为普朗克常数,$ u$为光子频率。
禁带通过其宽度区分材料导电性质,是理解半导体器件和光电子学的基础。实际应用中需结合具体禁带值选择材料。
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