禁帶英文解釋翻譯、禁帶的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 forbidden band

分詞翻譯：

禁的英語翻譯：

ban; bear; imprison; prohibit; restain oneself; stand; taboo

帶的英語翻譯：

belt; bring; strap; strip; take; wear
【計】 tape
【化】 band
【醫】 balteum; band; belt; chord; chorda; chordae; chordo-; cingule; cingulum
cord; desmo-; girdle; ribbon; strap; strip; taenia; taenia-; taeniae
tape; teni-; tenia; zona; zone
【經】 belt

專業解析

在漢英詞典視角下，"禁帶"作為專業術語的釋義如下：

禁帶 (jìn dài)

音标：/ˈbænd ɡæp/

詞性：名詞（物理學、電子工程學術語）

核心釋義：

指固體材料（如半導體或絕緣體）中，電子無法存在的能量範圍，介于價帶頂與導帶底之間。該能量區間禁止電子占據，故稱"禁帶"。其寬度（禁帶寬度）直接決定材料的導電性質。

專業釋義擴展：

固體物理學定義
在能帶理論中，禁帶是布裡淵區内電子态密度為零的能量區域，源于晶體周期性勢場中電子波的布拉格反射。

例：矽的禁帶寬度為1.12 eV（300K），屬間接帶隙半導體。
電子工程應用
禁帶寬度（$E_g$）是半導體器件的核心參數：
- $E_g < 1.5$ eV：適用于紅外探測器（如鍺 $E_g=0.67$ eV）
- $E_g > 3.0$ eV：適用于紫外光電器件（如氮化镓 $E_g=3.4$ eV）
  公式：本征載流子濃度 $n_i propto T^{3/2}e^{-E_g/(2kT)}$

權威來源參考：

Kittel, C. Introduction to Solid State Physics (8th ed.), Wiley, 2005. 能帶理論章節
Streetman, B.G. Solid State Electronic Devices (7th ed.), Prentice Hall, 2015. 半導體基礎章節
IEEE Standard Definitions in Semiconductor Technology (IEEE Std 286-2021)

網絡擴展解釋

禁帶（Forbidden Band）是固體物理學中的核心概念，指晶體中相鄰能帶之間電子無法占據的能量範圍。以下是詳細解釋：

1.基本定義

禁帶是能帶結構中能态密度為零的能量區間，通常位于價帶（電子占據的最高能帶）和導帶（電子可自由移動的能帶）之間。電子無法存在于這一能量範圍内，因此稱為“禁帶”。

2.物理意義與材料分類

半導體：禁帶寬度較小（如矽1.12 eV、鍺0.66 eV），常溫下部分電子可通過熱激發躍遷到導帶，表現出導電性。
絕緣體：禁帶寬度較大（通常超過5 eV），電子難以躍遷，導電性極弱。
導體：價帶與導帶重疊，無禁帶，電子可自由移動。

3.禁帶寬度的影響

溫度依賴性：半導體禁帶窄，溫度升高時導電性顯著增強；絕緣體因禁帶寬，溫度變化對導電性影響微弱。
光學特性：材料吸收光子的能量需至少等于禁帶寬度，這決定了其光吸收和發射特性。

4.應用與測量

禁帶寬度是半導體器件設計的關鍵參數，如太陽能電池、LED等需通過摻雜或材料選擇調整禁帶特性。測量方法包括光譜分析和電學測試。

示例公式（禁帶寬度與光吸收關系）：

$$ E_g = h u $$ 其中，$E_g$為禁帶寬度，$h$為普朗克常數，$ u$為光子頻率。

禁帶通過其寬度區分材料導電性質，是理解半導體器件和光電子學的基礎。實際應用中需結合具體禁帶值選擇材料。