
【电】 field switch
field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant
on-off; stopcock; switch
【计】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【医】 switch
在电子工程领域,“场开关”通常指场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET),是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。其核心原理是通过施加栅极电压形成的电场,调制导电沟道的载流子浓度,从而实现电路的导通或关断。以下是详细解释:
中英文对照
来源:IEEE标准术语定义(IEEE Std 100-2000)
工作原理
场开关通过栅极电压((V{GS}))控制源极与漏极间的电流((I{DS}))。当 (V{GS}) 超过阈值电压((V{th}))时,半导体表面形成导电沟道,器件导通;反之沟道消失,器件关断。其数学关系可表示为:
$$ I{DS} = mu C{ox} frac{W}{L} left[ (V{GS} - V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right] quad (text{饱和区}) $$ 来源:半导体器件物理基础(Neamen, D., Semiconductor Physics and Devices, 4th ed)
核心优势
来源:电子器件性能分析(Horowitz, P., The Art of Electronics, 3rd ed)
主要类型
类型 | 结构特点 | 典型应用场景 |
---|---|---|
MOSFET | 金属-氧化物-半导体结构 | 电源管理、数字电路 |
JFET | PN结栅极控制 | 模拟信号开关 |
GaN FET | 氮化镓宽禁带材料 | 高频功率转换 |
来源:功率半导体技术综述(Baliga, B.J., Fundamentals of Power Semiconductor Devices)
功率转换系统
在DC-DC转换器中,MOSFET作为开关器件可实现>95%的能效(如TI的Buck转换器设计)。
来源:德州仪器应用报告(SLVA477C)
射频通信
GaN FET开关在5G基站中支持毫米波频段(24-40 GHz),插入损耗<0.5 dB(Qorvo案例)。
来源:IEEE微波理论与技术汇刊(Vol. 68, No. 7)
来源:国际半导体技术路线图(IRDS™ 2022)
由于未搜索到与“场开关”直接以下解释基于该词汇的常见组合含义和技术领域的常规理解:
基本概念
“场开关”可能指代利用电场效应控制电路通断的元件或技术,常见于电子工程领域。例如:
工作原理(以场效应管为例)
场效应管(如MOSFET)作为开关时:
应用场景
注意事项
若用户指其他领域(如计算机数据字段的开关操作),需结合具体上下文进一步解释。建议补充使用场景或技术背景以获取更精准的回答。
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