射极区障壁英文解释翻译、射极区障壁的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 emitter barrier

【电】 emitter

area; borough; classify; distinguish; district; region; section
【计】 region
【医】 area; belt; field; quarter; regio; region; zona; zone

【医】 barrier

在电子工程领域，“射极区障壁”（Emitter Barrier）指双极结型晶体管（BJT）中发射极与基极之间因掺杂差异形成的电势能垒。该势垒由PN结的载流子扩散作用产生，主要影响少数载流子的注入效率。

从物理机制分析，射极区障壁的高度与材料掺杂浓度直接相关。根据肖特基势垒模型，N型发射极的高掺杂会导致能带弯曲，形成阻止电子反向扩散的势垒。这种特性是BJT电流放大作用的基础：当基极-发射极电压（$V_{BE}$）超过势垒电压时，电子将克服势垒注入基区，产生集电极电流。

工程应用中，射极区障壁的设计需平衡导通电压与击穿特性。例如在硅晶体管中，典型势垒电压约为0.7V，而砷化镓器件可低至0.3V。美国电气电子工程师协会（IEEE）在《电子器件汇刊》中强调，现代异质结双极晶体管（HBT）通过能带工程可精确调控该势垒，从而提升高频特性。

参考来源：

“射极区障壁”属于电子工程或半导体领域的专业术语，指晶体管（如双极型晶体管）中发射极区域设置的物理或电学隔离结构，主要用于控制载流子（电子或空穴）的流动方向，优化器件性能。以下是具体解释：

基本概念
在半导体器件中，“射极区”是晶体管的核心结构之一，负责向基区注入载流子。而“障壁”在此处可能指势垒层或隔离层，通过材料能带设计或掺杂差异形成阻挡作用，防止载流子反向流动。
功能与作用
- 载流子定向控制：通过能带工程（如异质结设计）形成势垒，确保载流子从发射极高效注入基区，减少反向泄漏电流。
- 提高效率：优化电流放大系数（β值），降低功耗并增强器件稳定性。
- 隔离作用：类似显示器件中的障壁（如提到的防光电串扰），可能用于隔离相邻元件，避免信号干扰。
技术实现
射极区障壁的实现通常涉及异质结材料（如AlGaAs/GaAs）或高掺杂浓度层，利用材料间的能带差或电场效应形成势垒。例如，在HBT（异质结双极晶体管）中，发射极采用宽禁带材料，天然形成载流子注入的势垒。
应用场景
此类设计常见于高频、高功率晶体管，如微波通信器件和功率放大器，能显著提升开关速度和耐压能力。

由于“射极区障壁”属于细分领域术语，具体定义可能因器件类型而异。建议参考半导体物理教材或专业文献（如《半导体器件物理》）获取更深入解析。