射極區障壁英文解釋翻譯、射極區障壁的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 emitter barrier

【電】 emitter

area; borough; classify; distinguish; district; region; section
【計】 region
【醫】 area; belt; field; quarter; regio; region; zona; zone

【醫】 barrier

在電子工程領域，“射極區障壁”（Emitter Barrier）指雙極結型晶體管（BJT）中發射極與基極之間因摻雜差異形成的電勢能壘。該勢壘由PN結的載流子擴散作用産生，主要影響少數載流子的注入效率。

從物理機制分析，射極區障壁的高度與材料摻雜濃度直接相關。根據肖特基勢壘模型，N型發射極的高摻雜會導緻能帶彎曲，形成阻止電子反向擴散的勢壘。這種特性是BJT電流放大作用的基礎：當基極-發射極電壓（$V_{BE}$）超過勢壘電壓時，電子将克服勢壘注入基區，産生集電極電流。

工程應用中，射極區障壁的設計需平衡導通電壓與擊穿特性。例如在矽晶體管中，典型勢壘電壓約為0.7V，而砷化镓器件可低至0.3V。美國電氣電子工程師協會（IEEE）在《電子器件彙刊》中強調，現代異質結雙極晶體管（HBT）通過能帶工程可精确調控該勢壘，從而提升高頻特性。

參考來源：

“射極區障壁”屬于電子工程或半導體領域的專業術語，指晶體管（如雙極型晶體管）中發射極區域設置的物理或電學隔離結構，主要用于控制載流子（電子或空穴）的流動方向，優化器件性能。以下是具體解釋：

基本概念
在半導體器件中，“射極區”是晶體管的核心結構之一，負責向基區注入載流子。而“障壁”在此處可能指勢壘層或隔離層，通過材料能帶設計或摻雜差異形成阻擋作用，防止載流子反向流動。
功能與作用
- 載流子定向控制：通過能帶工程（如異質結設計）形成勢壘，确保載流子從發射極高效注入基區，減少反向洩漏電流。
- 提高效率：優化電流放大系數（β值），降低功耗并增強器件穩定性。
- 隔離作用：類似顯示器件中的障壁（如提到的防光電串擾），可能用于隔離相鄰元件，避免信號幹擾。
技術實現
射極區障壁的實現通常涉及異質結材料（如AlGaAs/GaAs）或高摻雜濃度層，利用材料間的能帶差或電場效應形成勢壘。例如，在HBT（異質結雙極晶體管）中，發射極采用寬禁帶材料，天然形成載流子注入的勢壘。
應用場景
此類設計常見于高頻、高功率晶體管，如微波通信器件和功率放大器，能顯著提升開關速度和耐壓能力。

由于“射極區障壁”屬于細分領域術語，具體定義可能因器件類型而異。建議參考半導體物理教材或專業文獻（如《半導體器件物理》）獲取更深入解析。