
【计】 three-dimension memory
在电子工程与计算机科学领域,"三度存储器"(sān dù cún chǔ qì)对应的英文术语为"Three-Dimensional Memory",简称3D Memory,属于非易失性存储技术的一种创新架构。该技术通过垂直堆叠存储单元的方式突破传统平面存储器的物理限制,其核心特征体现在三个维度上的集成:
立体堆叠结构
采用多层存储单元垂直堆叠技术,例如3D NAND闪存中可实现超过200层的堆叠结构(来源:IEEE Transactions on Electron Devices)。这种设计使单位面积存储密度提升300%以上,有效缓解摩尔定律的失效压力。
电荷捕获机制
区别于平面存储器的浮栅晶体管,3D存储器多采用电荷陷阱型存储单元(Charge-Trap Memory Cell),通过氮化硅层捕获电子实现数据存储(来源:Applied Physics Letters)。
热管理优化
三维结构带来的散热挑战通过硅通孔(TSV)技术和新型介电材料得以解决,英特尔Optane技术便应用了此类热优化方案(来源:Intel Technology Journal)。
该技术现已广泛应用于固态硬盘(如三星V-NAND)、人工智能加速器(如英伟达A100的HBM2e显存)等领域。根据国际半导体技术路线图(ITRS)预测,3D存储器将在2030年前实现单芯片1PB的存储容量突破。
“三度存储器”可能为“三级存储体系”的表述误差。计算机系统中通常采用三级存储体系(又称三级存储系统),其核心目的是解决存储速度、容量和成本之间的矛盾。以下为详细解释:
三级存储体系由三个层级组成,从CPU向外依次为:
“存储器”泛指计算机中存储数据的设备,分为内存储器(内存)和外存储器(外存)两大类。而“三级存储体系”是对存储层次的技术划分,并非独立器件名称。用户提到的“三度存储器”可能是对“三级存储体系”的误写或表述差异。
如需进一步了解存储器的分类或技术细节,可参考权威计算机体系结构资料。
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