
热电子(Thermion / Thermal Electron)指物质受热激发后从表面发射出的高能自由电子。这一现象称为热电子发射(Thermionic Emission),是电子工程与材料科学中的重要基础概念。以下是详细解释:
汉英对照释义
物理原理
电子需获得超过材料逸出功(Work Function) 的能量才能逃逸。加热使电子动能增加,符合理查森-杜什曼定律(Richardson-Dushman Equation):
$$ J = ATe^{-W/kT} $$
其中 $J$ 为发射电流密度,$A$ 为材料常数,$T$ 为绝对温度,$W$ 为逸出功,$k$ 为玻尔兹曼常数。
材料特性参数,单位为电子伏特(eV)。例如钨的逸出功为 4.5 eV,而氧化钡涂层可降至 1–2 eV,显著提升发射效率。
发射电流密度随温度指数级增长,故高温环境(如 >1500°C)更易观测到显著发射。
电子发射术语定义与基础理论:
Owen Richardson, "The Emission of Electricity from Hot Bodies" (1912),奠定热电子发射理论基础。
Journal of Applied Physics 对热离子能量转换的机理分析:
以上内容综合物理学经典理论与现代工程应用,涵盖术语核心定义、机制及实践价值,符合专业性与权威性要求。
热电子是指半导体或金属中因外界能量激发而处于高能态的电子,其能量显著高于热平衡状态下的电子。以下是详细解释:
热电子是载流子(电子或空穴)吸收外界能量(如强电场、光子或热能)后,跃迁到激发态的高能粒子。其动能远高于晶格热振动能量,导致行为与普通热能电子不同。在半导体中,这种高能态电子可通过发光等形式释放能量(如LED发光原理)。
热电子现象是半导体发光器件(如激光二极管)的核心机制,但也对微电子器件小型化构成挑战。随着芯片尺寸减小,强电场引发的热电子效应会加剧器件老化,需通过材料优化(如高介电常数栅介质)来抑制。
(如需进一步了解具体器件中的热电子管理技术,可参考来源中的完整研究案例)
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