
熱電子(Thermion / Thermal Electron)指物質受熱激發後從表面發射出的高能自由電子。這一現象稱為熱電子發射(Thermionic Emission),是電子工程與材料科學中的重要基礎概念。以下是詳細解釋:
漢英對照釋義
物理原理
電子需獲得超過材料逸出功(Work Function) 的能量才能逃逸。加熱使電子動能增加,符合理查森-杜什曼定律(Richardson-Dushman Equation):
$$ J = ATe^{-W/kT} $$
其中 $J$ 為發射電流密度,$A$ 為材料常數,$T$ 為絕對溫度,$W$ 為逸出功,$k$ 為玻爾茲曼常數。
材料特性參數,單位為電子伏特(eV)。例如鎢的逸出功為 4.5 eV,而氧化鋇塗層可降至 1–2 eV,顯著提升發射效率。
發射電流密度隨溫度指數級增長,故高溫環境(如 >1500°C)更易觀測到顯著發射。
電子發射術語定義與基礎理論:
Owen Richardson, "The Emission of Electricity from Hot Bodies" (1912),奠定熱電子發射理論基礎。
Journal of Applied Physics 對熱離子能量轉換的機理分析:
以上内容綜合物理學經典理論與現代工程應用,涵蓋術語核心定義、機制及實踐價值,符合專業性與權威性要求。
熱電子是指半導體或金屬中因外界能量激發而處于高能态的電子,其能量顯著高于熱平衡狀态下的電子。以下是詳細解釋:
熱電子是載流子(電子或空穴)吸收外界能量(如強電場、光子或熱能)後,躍遷到激發态的高能粒子。其動能遠高于晶格熱振動能量,導緻行為與普通熱能電子不同。在半導體中,這種高能态電子可通過發光等形式釋放能量(如LED發光原理)。
熱電子現象是半導體發光器件(如激光二極管)的核心機制,但也對微電子器件小型化構成挑戰。隨着芯片尺寸減小,強電場引發的熱電子效應會加劇器件老化,需通過材料優化(如高介電常數栅介質)來抑制。
(如需進一步了解具體器件中的熱電子管理技術,可參考來源中的完整研究案例)
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