齐纳隧道效应英文解释翻译、齐纳隧道效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 Zener tunneling

分词翻译：

齐纳的英语翻译：

【计】 Zener

隧道效应的英语翻译：

【计】 tunnel effect; tunneling
【化】 tunnel effect; tunneling effect; tunnelling effect

专业解析

齐纳隧道效应（Zener Tunneling Effect）是半导体物理中的关键现象，指在高反向偏置电压下，半导体材料内部形成的强电场使电子直接穿透势垒的量子力学行为。该效应由Clarence Zener于1934年首次理论化，是齐纳二极管（Zener Diode）实现电压稳压功能的核心机制。

术语定义与原理

1. 汉英对照

   • 齐纳效应：Zener Effect（载流子通过强电场电离引发击穿）
   • 隧道效应：Tunneling Effect（电子穿越经典禁区的量子隧穿行为）

     二者结合称为齐纳隧道效应，英文术语为Zener Tunneling。

2. 物理过程

   当PN结反向电压超过临界值（齐纳电压）时，耗尽层电场强度达到10⁶ V/m量级，价带电子通过量子隧穿直接跃迁至导带，形成反向导通电流。该过程遵循薛定谔方程的势垒穿透解： $$ Psi(x) propto e^{-k x} $$ 其中$k=sqrt{2m(E-V)/hbar}$，$E$为电子能量，$V$为势垒高度。

工程应用

齐纳隧道效应被广泛应用于：

• 电压基准源：利用陡峭的反向击穿特性稳定电路电压（典型器件：BZX85系列）
• ESD保护：在集成电路中快速泄放静电电荷
• 高频器件：基于隧穿过程的纳秒级响应特性。

权威参考文献

1. Zener, C. (1934). Theory of the Electrical Breakdown of Solid Dielectrics. Proceedings of the Royal Society.
2. Streetman, B. G. (2006). Solid State Electronic Devices. 第6版第3章.
3. IEEE标准文献 JESD282-B.01 对隧道效应的器件测试方法规范.

网络扩展解释

齐纳隧道效应是半导体器件中一种由量子隧道效应引发的击穿现象，与齐纳击穿密切相关。以下是详细解释：

1.定义与核心机制

齐纳隧道效应指在高掺杂的PN结中，当反向偏压达到临界值时，强电场使价带电子通过量子隧道效应直接穿越禁带进入导带，导致电流急剧增大的现象。其本质是量子力学中的势垒贯穿行为，而非传统碰撞电离。

2.发生条件

• 高掺杂浓度：掺杂浓度高使耗尽层极窄（约几纳米），较小的反向电压即可形成强电场（约10⁶ V/cm）。
• 强电场作用：电场强度足够使禁带能级倾斜，缩短电子隧穿路径，使价带与导带量子态重叠。

3.与雪崩击穿的对比

4.应用与特性

• 可逆性：齐纳击穿后撤去电压可恢复，常用于稳压二极管。
• 能带调控：通过掺杂和结构设计可精确控制击穿电压，适用于集成电路中的过压保护。

齐纳隧道效应揭示了量子行为在宏观器件中的实际应用，其核心是强电场下电子的隧穿行为。理解该效应需结合半导体物理与量子力学原理，更多技术细节可参考道客巴巴和百度文库的原始文献。

分类

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏览...

矮弊端超导隧道效应脆性损伤大气侧对称番泻叶糖膏附加费率负屏估定税捐清册哗变户外加感使用器阻抗奸恶洁白棘间肌禁戒卷爪麻痹症劳工介绍所卵巢附件目标跟踪纳税地升降线失意朔佩尔试验机松弛时间近似松果体的提取通信量强度魏耳氏靛蓝磺酸明胶