双极型随机存储器英文解释翻译、双极型随机存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bipolar RAM

分词翻译：

双极的英语翻译：

【医】 twin pole

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

随机存储器的英语翻译：

【化】 RAM

专业解析

双极型随机存储器（Bipolar Random Access Memory，简称Bipolar RAM）是一种基于双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）技术构建的随机存取存储器。以下是其详细解释：

一、术语构成与汉英对照

双极型 (Bipolar)
指器件核心采用双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），其工作原理依赖于电子和空穴两种载流子的运动（即“双极性”载流子）。区别于单极性的场效应晶体管（FET），双极型晶体管具有高开关速度特性。

来源：《半导体物理与器件》（Neamen, D. A., 第4版）
随机存储器 (Random Access Memory, RAM)
支持任意存储单元的直接读写操作，与顺序存储器（如磁带）相对。其数据在断电后丢失，属于易失性存储器（Volatile Memory）。

来源：IEEE标准术语定义（IEEE Std 100）

二、技术原理

双极型RAM利用双极型晶体管的电流放大特性存储数据。其基本存储单元由双稳态触发器电路构成，例如：

TTL RAM：晶体管-晶体管逻辑电路，通过高低电平表示"0"和"1"。
ECL RAM：发射极耦合逻辑电路，以电流开关模式实现超高速操作。

其读写速度可达纳秒级（如10ns），显著优于早期MOS型RAM，但功耗较高。

来源：《数字集成电路设计》（Rabaey, J. M., 第2章）

三、核心特性对比

特性	双极型RAM	MOS型RAM（如SRAM/DRAM）
速度	极快（1-10ns）	较慢（DRAM约50ns）
功耗	高（电流驱动型）	低（电压控制型）
集成度	低（单元面积大）	高（适合大规模集成）
成本	高	低

数据来源：《计算机体系结构：量化研究方法》（Hennessy & Patterson, 附录B）

四、应用场景与演进

历史地位：1970年代主导高速缓存市场，后因MOS工艺进步被CMOS SRAM替代。
现代应用：特殊领域如抗辐射存储器（航天器件）仍采用双极工艺。
技术演进：BiCMOS（双极-CMOS混合）技术融合两者优势，用于高频芯片设计。
来源：IEEE电子器件期刊（IEEE TED, Vol. 48, No. 5）

注意：因文献数据库访问限制，部分参考链接未提供。建议通过学术引擎（如IEEE Xplore）检索关键词 "Bipolar RAM"、"BJT Memory" 获取权威文献。

网络扩展解释

双极型随机存储器是一种基于双极型晶体管构成的随机存取存储器（RAM），主要用于高速数据存储场景。以下是其核心要点：

1.定义与结构

双极型随机存储器由双极型晶体管构成，属于早期半导体存储器的重要类型。其结构通过晶体管触发器实现数据存储，每个存储单元可独立访问。

2.核心特点

高速性能：速度比传统磁芯存储器快约3个数量级，适合作为计算机缓冲存储器或高速缓存（Cache）。
功耗与集成度：功耗较高，集成度低于MOS型存储器（如NMOS动态RAM）。
接口简化：与双极型逻辑电路兼容，简化了计算机系统的接口设计。

3.应用场景

主要应用于需要高速数据处理的场景，例如：

早期计算机的缓冲存储器，显著提升运算速度。
现代高速微型计算机中的高速缓存（Cache）。

4.与其他存储器的对比

与MOS型RAM对比：双极型速度更快，但功耗和成本更高；MOS型（如SRAM/DRAM）集成度更高，适用于主流内存。
与磁芯存储器对比：双极型彻底取代了磁芯存储器，解决了后者速度慢、体积大的问题。

双极型随机存储器在计算机发展早期起到了关键作用，其高速特性使其在特定领域仍不可替代，但受限于工艺复杂度，逐渐被更高集成度的MOS型存储器取代。