雙極型隨機存儲器英文解釋翻譯、雙極型隨機存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bipolar RAM

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

隨機存儲器的英語翻譯：

【化】 RAM

專業解析

雙極型隨機存儲器（Bipolar Random Access Memory，簡稱Bipolar RAM）是一種基于雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）技術構建的隨機存取存儲器。以下是其詳細解釋：

一、術語構成與漢英對照

雙極型 (Bipolar)
指器件核心采用雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor），其工作原理依賴于電子和空穴兩種載流子的運動（即“雙極性”載流子）。區别于單極性的場效應晶體管（FET），雙極型晶體管具有高開關速度特性。

來源：《半導體物理與器件》（Neamen, D. A., 第4版）
隨機存儲器 (Random Access Memory, RAM)
支持任意存儲單元的直接讀寫操作，與順序存儲器（如磁帶）相對。其數據在斷電後丢失，屬于易失性存儲器（Volatile Memory）。

來源：IEEE标準術語定義（IEEE Std 100）

二、技術原理

雙極型RAM利用雙極型晶體管的電流放大特性存儲數據。其基本存儲單元由雙穩态觸發器電路構成，例如：

TTL RAM：晶體管-晶體管邏輯電路，通過高低電平表示"0"和"1"。
ECL RAM：發射極耦合邏輯電路，以電流開關模式實現超高速操作。

其讀寫速度可達納秒級（如10ns），顯著優于早期MOS型RAM，但功耗較高。

來源：《數字集成電路設計》（Rabaey, J. M., 第2章）

三、核心特性對比

特性	雙極型RAM	MOS型RAM（如SRAM/DRAM）
速度	極快（1-10ns）	較慢（DRAM約50ns）
功耗	高（電流驅動型）	低（電壓控制型）
集成度	低（單元面積大）	高（適合大規模集成）
成本	高	低

數據來源：《計算機體系結構：量化研究方法》（Hennessy & Patterson, 附錄B）

四、應用場景與演進

曆史地位：1970年代主導高速緩存市場，後因MOS工藝進步被CMOS SRAM替代。
現代應用：特殊領域如抗輻射存儲器（航天器件）仍采用雙極工藝。
技術演進：BiCMOS（雙極-CMOS混合）技術融合兩者優勢，用于高頻芯片設計。
來源：IEEE電子器件期刊（IEEE TED, Vol. 48, No. 5）

注意：因文獻數據庫訪問限制，部分參考鍊接未提供。建議通過學術引擎（如IEEE Xplore）檢索關鍵詞 "Bipolar RAM"、"BJT Memory" 獲取權威文獻。

網絡擴展解釋

雙極型隨機存儲器是一種基于雙極型晶體管構成的隨機存取存儲器（RAM），主要用于高速數據存儲場景。以下是其核心要點：

1.定義與結構

雙極型隨機存儲器由雙極型晶體管構成，屬于早期半導體存儲器的重要類型。其結構通過晶體管觸發器實現數據存儲，每個存儲單元可獨立訪問。

2.核心特點

高速性能：速度比傳統磁芯存儲器快約3個數量級，適合作為計算機緩沖存儲器或高速緩存（Cache）。
功耗與集成度：功耗較高，集成度低于MOS型存儲器（如NMOS動态RAM）。
接口簡化：與雙極型邏輯電路兼容，簡化了計算機系統的接口設計。

3.應用場景

主要應用于需要高速數據處理的場景，例如：

早期計算機的緩沖存儲器，顯著提升運算速度。
現代高速微型計算機中的高速緩存（Cache）。

4.與其他存儲器的對比

與MOS型RAM對比：雙極型速度更快，但功耗和成本更高；MOS型（如SRAM/DRAM）集成度更高，適用于主流内存。
與磁芯存儲器對比：雙極型徹底取代了磁芯存儲器，解決了後者速度慢、體積大的問題。

雙極型隨機存儲器在計算機發展早期起到了關鍵作用，其高速特性使其在特定領域仍不可替代，但受限于工藝複雜度，逐漸被更高集成度的MOS型存儲器取代。