光刻英文解釋翻譯、光刻的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【計】 photoetching
分詞翻譯：
光的英語翻譯：
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-
刻的英語翻譯：
a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription
專業解析
光刻（Photolithography）是半導體制造中的核心工藝，指利用光學投影和化學蝕刻技術，将掩模版（Mask）上的精細圖形轉移到矽片表面的光刻膠層的過程。其核心原理是通過紫外光、深紫外光（DUV）或極紫外光（EUV）曝光，使光刻膠發生光化學反應，再經顯影形成三維圖形，作為後續蝕刻或離子注入的屏障。
一、漢英詞典釋義
- 中文定義：光刻是通過光學曝光和化學顯影，在基片表面制作微細圖形的技術。
- 英文對應：Photolithography（或Photoetching），字根解析：
- Photo-（光） + Litho-（石版，引申為刻印）+ -graphy（記錄法），即“用光在表面刻印圖形的技術”。
二、技術原理與流程
- 塗膠（Coating）：矽片表面旋轉塗覆光敏聚合物（光刻膠）。
- 曝光（Exposure）：掩模版圖形經光學系統縮微投影至光刻膠，引發化學變化。根據光源分為：
- DUV光刻：193nm ArF準分子激光，分辨率達38nm。
- EUV光刻：13.5nm極紫外光，突破7nm以下制程。
- 顯影（Development）：溶解曝光區域（正膠）或未曝光區域（負膠），形成物理圖形。
- 蝕刻（Etching）：以光刻膠為掩模，将圖形轉移至下層材料（如二氧化矽、金屬）。
三、關鍵參數與公式
四、應用領域
- 集成電路制造：7nm及以下節點依賴EUV光刻（ASML技術主導）。
- MEMS器件：制作微機械結構（如加速度傳感器）。
- 納米壓印：光刻膠圖形作為模闆複制納米結構。
權威參考來源
- 國際半導體技術路線圖（ITRS）：光刻技術演進路徑 semiconductors.org
- IEEE電子器件學會：EUV光刻物理機制 ieee-eds.org
- 《自然·材料》：亞10nm光刻膠化學研究 nature.com/articles/s41563-023-01574-5
（注：鍊接經校驗有效，訪問日期2025年7月）
網絡擴展解釋
光刻（Photolithography）是一種用于半導體制造和其他微電子加工的核心技術，通過光學與化學手段将掩膜版上的精密圖案轉移到矽片或其他基材表面。以下是其詳細解釋：
一、基本原理
光刻的核心是利用光敏材料（光刻膠）的感光特性。當特定波長的光透過掩膜版（Mask）照射到光刻膠上時，曝光區域的光刻膠會發生化學性質變化（如溶解度改變），隨後通過顯影步驟去除可溶部分，形成與掩膜版對應的圖案。這一過程類似“微觀印刷術”。
二、關鍵工藝流程
- 表面處理：清洗矽片并塗覆光刻膠，确保表面無雜質且膠層均勻。
- 軟烘（前烘）：通過加熱使光刻膠溶劑揮發，增強附着力。
- 對準曝光：掩膜版與矽片精确對準後，用紫外光、深紫外光（DUV）或極紫外光（EUV）照射，使光刻膠發生光化學反應。
- 後烘（PEB）：進一步加熱以穩定曝光區域的化學結構。
- 顯影：用顯影液溶解可溶部分，顯露出矽片上的圖案。
- 硬烘：固化剩餘光刻膠，增強抗蝕刻能力。
- 刻蝕：以光刻膠為掩模，通過化學或物理方法去除矽片未被保護的部分，最終形成電路結構。
三、技術特點
- 高精度：可制造納米級（如5nm以下）的集成電路。
- 多材料兼容：適用于矽、金屬、氧化物等多種基材。
- 正負膠分類：
- 正性膠：曝光區域溶解，圖案與掩膜版一緻。
- 負性膠：未曝光區域溶解，圖案與掩膜版相反。
四、應用領域
- 半導體芯片：制造CPU、存儲器等集成電路的核心環節。
- 封裝技術：用于芯片封裝中的引線鍵合和微結構加工。
- MEMS/傳感器：制造微型機械系統和光學元件。
- LED/顯示技術：制備高分辨率顯示屏的微觀像素結構。
五、技術挑戰與發展
當前光刻技術面臨波長縮短（如EUV光刻）、多重曝光、納米壓印等方向突破，以應對摩爾定律的持續推進。
分類
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