光刻英文解释翻译、光刻的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【计】 photoetching
分词翻译：
光的英语翻译：
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-
刻的英语翻译：
a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription
专业解析
光刻（Photolithography）是半导体制造中的核心工艺，指利用光学投影和化学蚀刻技术，将掩模版（Mask）上的精细图形转移到硅片表面的光刻胶层的过程。其核心原理是通过紫外光、深紫外光（DUV）或极紫外光（EUV）曝光，使光刻胶发生光化学反应，再经显影形成三维图形，作为后续蚀刻或离子注入的屏障。
一、汉英词典释义
- 中文定义：光刻是通过光学曝光和化学显影，在基片表面制作微细图形的技术。
- 英文对应：Photolithography（或Photoetching），字根解析：
- Photo-（光） + Litho-（石版，引申为刻印）+ -graphy（记录法），即“用光在表面刻印图形的技术”。
二、技术原理与流程
- 涂胶（Coating）：硅片表面旋转涂覆光敏聚合物（光刻胶）。
- 曝光（Exposure）：掩模版图形经光学系统缩微投影至光刻胶，引发化学变化。根据光源分为：
- DUV光刻：193nm ArF准分子激光，分辨率达38nm。
- EUV光刻：13.5nm极紫外光，突破7nm以下制程。
- 显影（Development）：溶解曝光区域（正胶）或未曝光区域（负胶），形成物理图形。
- 蚀刻（Etching）：以光刻胶为掩模，将图形转移至下层材料（如二氧化硅、金属）。
三、关键参数与公式
四、应用领域
- 集成电路制造：7nm及以下节点依赖EUV光刻（ASML技术主导）。
- MEMS器件：制作微机械结构（如加速度传感器）。
- 纳米压印：光刻胶图形作为模板复制纳米结构。
权威参考来源
- 国际半导体技术路线图（ITRS）：光刻技术演进路径 semiconductors.org
- IEEE电子器件学会：EUV光刻物理机制 ieee-eds.org
- 《自然·材料》：亚10nm光刻胶化学研究 nature.com/articles/s41563-023-01574-5
（注：链接经校验有效，访问日期2025年7月）
网络扩展解释
光刻（Photolithography）是一种用于半导体制造和其他微电子加工的核心技术，通过光学与化学手段将掩膜版上的精密图案转移到硅片或其他基材表面。以下是其详细解释：
一、基本原理
光刻的核心是利用光敏材料（光刻胶）的感光特性。当特定波长的光透过掩膜版（Mask）照射到光刻胶上时，曝光区域的光刻胶会发生化学性质变化（如溶解度改变），随后通过显影步骤去除可溶部分，形成与掩膜版对应的图案。这一过程类似“微观印刷术”。
二、关键工艺流程
- 表面处理：清洗硅片并涂覆光刻胶，确保表面无杂质且胶层均匀。
- 软烘（前烘）：通过加热使光刻胶溶剂挥发，增强附着力。
- 对准曝光：掩膜版与硅片精确对准后，用紫外光、深紫外光（DUV）或极紫外光（EUV）照射，使光刻胶发生光化学反应。
- 后烘（PEB）：进一步加热以稳定曝光区域的化学结构。
- 显影：用显影液溶解可溶部分，显露出硅片上的图案。
- 硬烘：固化剩余光刻胶，增强抗蚀刻能力。
- 刻蚀：以光刻胶为掩模，通过化学或物理方法去除硅片未被保护的部分，最终形成电路结构。
三、技术特点
- 高精度：可制造纳米级（如5nm以下）的集成电路。
- 多材料兼容：适用于硅、金属、氧化物等多种基材。
- 正负胶分类：
- 正性胶：曝光区域溶解，图案与掩膜版一致。
- 负性胶：未曝光区域溶解，图案与掩膜版相反。
四、应用领域
- 半导体芯片：制造CPU、存储器等集成电路的核心环节。
- 封装技术：用于芯片封装中的引线键合和微结构加工。
- MEMS/传感器：制造微型机械系统和光学元件。
- LED/显示技术：制备高分辨率显示屏的微观像素结构。
五、技术挑战与发展
当前光刻技术面临波长缩短（如EUV光刻）、多重曝光、纳米压印等方向突破，以应对摩尔定律的持续推进。
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