
【電】 high frequency bias
high; high-priced; lofty; loud; tall
【醫】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-
【電】 frequency bias
在電子工程領域,"高頻偏壓"(High-Frequency Bias)指在電路系統中施加的高頻交流電壓分量,主要用于改善器件線性度或控制工作點。該術語由"高頻"(頻率範圍通常在20 kHz至200 MHz)和"偏壓"(建立器件靜态工作點的直流電壓)組合構成。
其核心原理是通過疊加高頻信號改變半導體器件的等效阻抗特性。在功率放大器設計中,高頻偏壓能有效抑制二次諧波失真,該現象在《射頻電路設計理論及應用》(清華大學出版社,2018)第三章有詳細數學推導。
國際電工委員會IEC 60136标準第5.2條款規定,高頻偏壓的典型應用場景包括:
高頻偏壓是電子工程和材料科學中的專業術語,其核心含義可結合多個來源綜合解釋如下:
基本定義 高頻偏壓指在電路中施加的高頻交流信號與直流偏壓疊加形成的複合電壓。在真空鍍膜領域特指施加在基體上的高頻脈沖負電壓(通常為kHz至MHz範圍),用于控制離子運動軌迹。
工作原理 通過高頻振蕩産生周期性變化的電場,使帶電粒子(如離子)在電場中加速。相較于直流偏壓,高頻特性可有效避免電荷積累導緻的電弧放電現象。其數學表達式可表示為: $$ V{total} = V{DC} + V{AC}sin(2pi ft) $$ 其中$V{DC}$為直流分量,$V_{AC}$為交流幅值,$f$為高頻頻率。
典型應用
該技術參數選擇需根據具體工藝确定,通常頻率範圍在10kHz-1MHz,電壓幅值在50-1000V之間。實際應用中需配合阻抗匹配網絡使用,确保高頻能量有效傳輸。
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