
【电】 high frequency bias
high; high-priced; lofty; loud; tall
【医】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-
【电】 frequency bias
在电子工程领域,"高频偏压"(High-Frequency Bias)指在电路系统中施加的高频交流电压分量,主要用于改善器件线性度或控制工作点。该术语由"高频"(频率范围通常在20 kHz至200 MHz)和"偏压"(建立器件静态工作点的直流电压)组合构成。
其核心原理是通过叠加高频信号改变半导体器件的等效阻抗特性。在功率放大器设计中,高频偏压能有效抑制二次谐波失真,该现象在《射频电路设计理论及应用》(清华大学出版社,2018)第三章有详细数学推导。
国际电工委员会IEC 60136标准第5.2条款规定,高频偏压的典型应用场景包括:
高频偏压是电子工程和材料科学中的专业术语,其核心含义可结合多个来源综合解释如下:
基本定义 高频偏压指在电路中施加的高频交流信号与直流偏压叠加形成的复合电压。在真空镀膜领域特指施加在基体上的高频脉冲负电压(通常为kHz至MHz范围),用于控制离子运动轨迹。
工作原理 通过高频振荡产生周期性变化的电场,使带电粒子(如离子)在电场中加速。相较于直流偏压,高频特性可有效避免电荷积累导致的电弧放电现象。其数学表达式可表示为: $$ V{total} = V{DC} + V{AC}sin(2pi ft) $$ 其中$V{DC}$为直流分量,$V_{AC}$为交流幅值,$f$为高频频率。
典型应用
该技术参数选择需根据具体工艺确定,通常频率范围在10kHz-1MHz,电压幅值在50-1000V之间。实际应用中需配合阻抗匹配网络使用,确保高频能量有效传输。
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