甘恩振蕩器英文解釋翻譯、甘恩振蕩器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 Gunn oscillator

分詞翻譯：

甘的英語翻譯：

pleasant; sweet; willingly
【醫】 gluco-; glyco-

恩的英語翻譯：

favour; grace; kindness

振蕩器的英語翻譯：

【醫】 agitator; oscillator

專業解析

甘恩振蕩器 (Gān ēn Zhèndàngqì)

漢英對照釋義：

甘恩振蕩器（Gunn Oscillator）是一種利用耿氏二極管（Gunn Diode）的負微分電阻特性産生微波信號的固态電子器件。其核心原理基于轉移電子效應（Transferred Electron Effect），當施加直流偏壓時，砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）等半導體材料内部會形成電場疇，導緻電流周期性振蕩，從而輸出高頻微波信號（通常覆蓋1–100 GHz頻段）。

物理機制詳解：

負微分電阻效應：在特定電壓範圍内，耿氏二極管電流隨電壓增加而減小，形成動态負阻區，這是振蕩的物理基礎。
電場疇形成：當偏壓超過阈值時，半導體材料内電子從高遷移率能谷轉移到低遷移率能谷，形成高電場疇并在陰極周期性産生與湮滅，引發電流振蕩。

典型應用場景：

雷達系統：用作低成本、低功耗的本地振蕩源或發射機（例：汽車防撞雷達）。
測試儀器：微波信號發生器中的核心振蕩模塊。
通信設備：毫米波通信鍊路的頻率源。

權威參考文獻：

《微波工程》（Microwave Engineering） by David M. Pozar（第4版）
- 詳細分析耿氏二極管振蕩器的工作原理與電路設計（Chapter 10: Noise and Active Components）。
IEEE電子器件彙刊（IEEE Transactions on Electron Devices）
- 經典論文：J. B. Gunn, "Microwave Oscillations of Current in III-V Semiconductors" (1963)，首次報道轉移電子效應。
《半導體器件物理》（Physics of Semiconductor Devices） by S. M. Sze
- 解析負微分電阻的量子能帶理論（Chapter 11: Transferred-Electron Devices）。

技術參數公式：

振蕩頻率 ( f ) 主要由耿氏二極管的渡越時間決定：

f approx frac{v_d}{L}

其中 ( v_d ) 為電子漂移速度（~10⁷ cm/s），( L ) 為有源區長度。

注：因搜索結果未提供可驗證鍊接，參考文獻僅标注名稱與出處，确保内容符合學術引用規範。

網絡擴展解釋

甘恩振蕩器（Gunn oscillator）是一種基于"甘恩效應"（Gunn effect）的微波頻率電子器件，主要用于産生高頻振蕩信號。以下是綜合相關信息的詳細解釋：

術語構成解析
- "甘恩"是英文Gunn的音譯，源自物理學家J.B. Gunn，他于1963年在砷化镓半導體材料中發現了特殊的電子轉移現象。
- "振蕩器"指能将直流電能轉化為特定頻率交流電能的裝置，其核心原理涉及能量轉換和反饋機制。
工作原理
基于甘恩效應，當施加足夠電壓時，半導體材料（如砷化镓）中的電子會從高遷移率能谷轉移到低遷移率能谷，形成周期性電流振蕩。這種非線性電導特性使得器件無需傳統諧振電路即可産生微波頻率的振蕩。
主要特點
- 工作頻率範圍通常在1-100 GHz，屬于微波頻段
- 結構簡單，僅需甘恩二極管和匹配電路
- 常用于雷達、通信系統的本地振蕩源
應用領域
主要應用于微波測量儀器、汽車防撞雷達、衛星通信接收機等需要穩定高頻信號的場景。

注：搜索結果中提供了術語翻譯依據，-3補充了振蕩器的基礎原理，但關于甘恩效應的具體機制需結合電子學常識進行說明。