甘恩振荡器英文解释翻译、甘恩振荡器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 Gunn oscillator

分词翻译：

甘的英语翻译：

pleasant; sweet; willingly
【医】 gluco-; glyco-

恩的英语翻译：

favour; grace; kindness

振荡器的英语翻译：

【医】 agitator; oscillator

专业解析

甘恩振荡器 (Gān ēn Zhèndàngqì)

汉英对照释义：

甘恩振荡器（Gunn Oscillator）是一种利用耿氏二极管（Gunn Diode）的负微分电阻特性产生微波信号的固态电子器件。其核心原理基于转移电子效应（Transferred Electron Effect），当施加直流偏压时，砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）等半导体材料内部会形成电场畴，导致电流周期性振荡，从而输出高频微波信号（通常覆盖1–100 GHz频段）。

物理机制详解：

负微分电阻效应：在特定电压范围内，耿氏二极管电流随电压增加而减小，形成动态负阻区，这是振荡的物理基础。
电场畴形成：当偏压超过阈值时，半导体材料内电子从高迁移率能谷转移到低迁移率能谷，形成高电场畴并在阴极周期性产生与湮灭，引发电流振荡。

典型应用场景：

雷达系统：用作低成本、低功耗的本地振荡源或发射机（例：汽车防撞雷达）。
测试仪器：微波信号发生器中的核心振荡模块。
通信设备：毫米波通信链路的频率源。

权威参考文献：

《微波工程》（Microwave Engineering） by David M. Pozar（第4版）
- 详细分析耿氏二极管振荡器的工作原理与电路设计（Chapter 10: Noise and Active Components）。
IEEE电子器件汇刊（IEEE Transactions on Electron Devices）
- 经典论文：J. B. Gunn, "Microwave Oscillations of Current in III-V Semiconductors" (1963)，首次报道转移电子效应。
《半导体器件物理》（Physics of Semiconductor Devices） by S. M. Sze
- 解析负微分电阻的量子能带理论（Chapter 11: Transferred-Electron Devices）。

技术参数公式：

振荡频率 ( f ) 主要由耿氏二极管的渡越时间决定：

f approx frac{v_d}{L}

其中 ( v_d ) 为电子漂移速度（~10⁷ cm/s），( L ) 为有源区长度。

注：因搜索结果未提供可验证链接，参考文献仅标注名称与出处，确保内容符合学术引用规范。

网络扩展解释

甘恩振荡器（Gunn oscillator）是一种基于"甘恩效应"（Gunn effect）的微波频率电子器件，主要用于产生高频振荡信号。以下是综合相关信息的详细解释：

术语构成解析
- "甘恩"是英文Gunn的音译，源自物理学家J.B. Gunn，他于1963年在砷化镓半导体材料中发现了特殊的电子转移现象。
- "振荡器"指能将直流电能转化为特定频率交流电能的装置，其核心原理涉及能量转换和反馈机制。
工作原理
基于甘恩效应，当施加足够电压时，半导体材料（如砷化镓）中的电子会从高迁移率能谷转移到低迁移率能谷，形成周期性电流振荡。这种非线性电导特性使得器件无需传统谐振电路即可产生微波频率的振荡。
主要特点
- 工作频率范围通常在1-100 GHz，属于微波频段
- 结构简单，仅需甘恩二极管和匹配电路
- 常用于雷达、通信系统的本地振荡源
应用领域
主要应用于微波测量仪器、汽车防撞雷达、卫星通信接收机等需要稳定高频信号的场景。

注：搜索结果中提供了术语翻译依据，-3补充了振荡器的基础原理，但关于甘恩效应的具体机制需结合电子学常识进行说明。