
【電】 film resistor
【計】 thin-film resistor
body; style; substance; system
【計】 body
【醫】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-
薄膜電阻體(Thin Film Resistor)指通過真空蒸發、濺射或化學沉積等工藝,在絕緣基闆(如陶瓷、玻璃)表面沉積一層厚度通常小于 1 微米的導電薄膜(材料包括鎳鉻合金、氮化钽等)制成的電阻器件。其核心特征包括:
薄膜電阻的阻值由導電薄膜的幾何形狀(長寬比)和材料電阻率決定,制造時通過光刻工藝刻蝕特定圖案以精确控制阻值。相較于厚膜電阻,其優勢在于:
權威參考來源:
薄膜電阻體是電子元件中的一種電阻結構,其核心特征在于通過特殊工藝在絕緣基闆上形成極薄的導電膜層。以下是綜合多個來源的詳細解釋:
薄膜電阻體指通過真空蒸發、磁控濺射等工藝(),将金屬(如鎳、鉻)或金屬氧化物(如氧化錫)等材料以納米級厚度(通常10-100nm)沉積在陶瓷等絕緣基闆上形成的電阻結構。其電阻值通過調整薄膜的寬度、長度或切割螺旋槽實現()。
對比項 | 薄膜電阻體 | 厚膜電阻 |
---|---|---|
膜厚 | 10nm-1μm(通常<1μm) | >2μm(絲網印刷工藝) |
工藝 | 濺射/蒸發 | 絲網印刷 |
應用場景 | 高精度儀器、濾波電路 | 普通功率電路 |
由于薄膜厚度極小且電阻率(ρ)隨厚度變化,實際應用中常将“膜電阻”視為與材料相關的常數,計算公式為:
$$
R_s = frac{rho}{d} quad (text{單位:Ω/□})
$$
其中,( R_s )為方阻,( d )為膜厚()。
如需進一步了解制造工藝或具體型號參數,可參考、7、9等來源。
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